[发明专利]适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路

权利要求书

1.一种适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，与一CMOS电路同设置于一半导体基底内，该CMOS电路是分别经由该第一电源供应线与该第二电源供应线提供第一电压与第二电压；其特征是：该闩锁保护电路包括：

一第一型井区，设置于该半导体基底内，成一结介于其间；

一第一型扩散区，用以连接该第一电源供应线，设置于该第一型井区内；

一第一第二型扩散区，用以连接该第二电源供应线，设置于该第一型井区内，与该结间成一第一间距；以及

一第二第二型扩散区，设置于该第一型井区内连接至一第三电源供应线，与该第一第二型扩散区相隔小于该第一间距的一第二间距；

当于电路操作时，该第一电压与该第二电压分别经由该第一电源供应线与该第二电源供应线，使该第一型扩散区与该第一第二型扩散区间成逆向偏压；当于电源供应过程中，若该第一电源供应线的电位介于该第二电源供应线电位与该第三电源供应线电位间的范围时，则于该第一第二型扩散区与该第二第二型扩散区之间导通一电流，减少该第一电源供应线与该第二电源供应线间的电位差。

2.如权利要求1所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该第三电源供应线为一接地电源供应线。

3.如权利要求1所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该第一第二型扩散区是介于该第一型扩散区和该第二第二型扩散区之间。

4.如权利要求3所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该第一第二型扩散区是呈多个带状。

5.如权利要求4所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：这些带状扩散区是对称于该第一型扩散区。

6.如权利要求3所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该第一第二型扩散区是呈环状。

7.如权利要求6所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该第一第二型扩散区是对称地环绕该第一型扩散区。

8.如权利要求1所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：尚包括一第二型护环，形成于该半导体基底内，介于该第一型井区与该CMOS电路之间。

9.如权利要求1所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该第一型是n型，该第二型是p型。

10.如权利要求9所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该第二电压提供正电位。

11.如权利要求1所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该第一型是p型，该第二型是n型。

12.如权利要求11所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该第二电压提供负电位。

13.如权利要求1所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：

                     X＜0.6Y；

其中，X为该第二间距，Y为该第一间距。

14.如权利要求1所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该第二间距约略等于设计规范的最小特征尺寸。

15.如权利要求14所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：

                      X≤2L

其中，X为该第二间距，L为设计规范的最小特征尺寸。

16.如权利要求1所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：尚包括另一第一型扩散区，设置于该第一型井区内，耦接至该CMOS电路的一接触区。

17.如权利要求16所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：尚包括一限流组件，连接于该另一第一型扩散区和该接触区之间。

18.如权利要求17所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该限流组件是一电阻器。

19.如权利要求17所述的适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路，其特征是：该限流组件是一MOSFET组件。