[发明专利]垂直金属－氧化物－半导体晶体管

权利要求书

1．一种垂直MOS晶体管，它包括：

属于第一导电类型的半导体基片；

在所述半导体基片上面生成的属于第二导电类型的第一外延生长层；

在所述第一外延生长层上面生成的属于所述第一导电类型的第二外延生长层；

这样形成的沟槽：它穿透所述第二外延生长层和所述第一外延生长层到达所述半导体基片内部；

沿着所述第二外延生长层表面和所述沟槽壁表面生成的栅极氧化膜；

注入所述沟槽从而被所述栅极氧化膜包围的栅极；

在所述第二外延生长层表面和离开所述栅极一段所需距离的区域内生成的属于所述第一导电类型的漏层；

与所述栅极连接的栅电极；

与所述漏层连接的漏电极；和

与半导体基片连接的源电极。

2．权利要求1的垂直MOS晶体管，其特征在于还包括属于所述第二导电类型的本体区，所述本体区是这样形成的：它穿透离开所述第二外延生长层的所述漏层的区域而到达所述第一外延生长层的内部。

3．权利要求1的垂直MOS晶体管，其特征在于还包括：在所述第一外延生长层和所述第二外延生长层之间的接触部分生成的属于所述第二导电类型的第一本体区；以及在所述第二外延生长层内部这样生长第二本体区、使之和所述第一本体区接触。

4．一种垂直MOS晶体管，它包括：

属于第一导电类型的半导体基片；

在所述半导体基片上面生成的属于第二导电类型的外延生长层；

这样生成的沟道：它穿透所述外延生长层而到达所述半导体基片内部；

沿着所述外延生长层表面和所述沟槽壁表面生成的栅极氧化膜；

注入所述沟槽从而被所述栅极氧化膜包围的栅极；

在所述第二外延生长层表面和离开所述栅极所需距离的区域内生成的属于所述第一导电类型的扩散层；

在所述扩散层表面生成的属于所述第一导电类型的漏层；以及

在所述外延生长层表面所需区域生成的属于所述第二导电类型的本体区。

5．权利要求1的垂直MOS晶体管，其特征在于还包括在所述半导体基片和所述第一外延生长层之间的接触部分生成的属于所述第二导电类型的本体区。

6．根据权利要求1、2、3、4、或5中任何一项的垂直MOS晶体管，其特征在于：所述沟槽被做成U形，并且所述栅极氧化膜沿着所述沟槽底部所生成的部分较沿着所述沟槽侧壁生成的部分厚。

7．制造垂直MOS晶体管的方法，它包括：

在属于第一导电类型的半导体基片上面生成属于第二导电类型的第一外延生长层的所述第一外延生长层生成步骤；

在所述第一外延生长层上面生成属于所述第一导电类型的第二外延生长层的第二外延生长层生成步骤；

通过在所述第二外延生长层上面预先规划用来生成沟槽的区域实施各向异性刻蚀来生成所述沟槽并使之穿透所述第二外延生长层和所述第一外延生长层抵达所述半导体基片内部的所述沟槽形成步骤；

沿着所述第二外延生长层的表面和所述沟槽壁表面生成栅极氧化膜的栅极氧化膜生成步骤；

在所述栅极氧化膜上淀积多晶硅层的多晶硅层淀积步骤；

通过对所述多晶硅层实施刻蚀而在所述沟槽内生成栅极的栅极生成步骤；

在所述第二外延生长层的表面以及在离开所述栅极一段所需距离的区域内生成属于所述第一导电类型漏层的漏层生成步骤；

在所述栅极氧化膜上面淀积中间绝缘膜的中间绝缘膜淀积步骤；

在所述中间绝缘膜上和所述漏层之上的所述栅极氧化膜上面预定形成电极的区域形成接触孔的接触孔生成步骤；以及

形成穿过所述接触孔与所述漏层接触的漏电极的漏电极生成步骤。