[发明专利]阶段式蚀刻方法

权利要求书

1.一种阶段式蚀刻方法，该阶段式蚀刻方法是应用于一基底的蚀刻工艺，以控制该基底被蚀刻后的厚度及芯片尺寸大小，该阶段式蚀刻方法包括下列步骤：

在该基底相对的一顶、底表面分别形成一图案化的第一保护层以及一第二保护层；

对该基底进行至少一蚀刻工艺，以同时蚀刻该基底以及该图案化的第一保护层；以及

在该第一保护层被完全去除后，继续蚀刻该基底直至一预定厚度，以控制该基底被蚀刻后的厚度及芯片尺寸大小。

2.如权利要求1所述的阶段式蚀刻方法，其中该基底包括玻璃、陶瓷、金属或一具有单晶结构的半导体材料。

3.如权利要求1所述的阶段式蚀刻方法，其中该第一、第二保护层的材料分别由金属、陶瓷或高分子材料所构成。

4.如权利要求3所述的阶段式蚀刻方法，其中该第一、第二保护层的材料由同一种材料所构成，但该第二保护层的厚度大于第一保护层。

5.如权利要求3所述的阶段式蚀刻方法，其中该第一、第二保护层的材料由不同材料所构成，且该第二保护层的被蚀刻速率小于该第一保护层。

6.如权利要求1所述的阶段式蚀刻方法，其中该蚀刻工艺为一湿式蚀刻工艺、干式蚀刻工艺或机械式加工工艺。

7.如权利要求1所述的阶段式蚀刻方法，其中该蚀刻工艺为一各向异性蚀刻工艺。

8.一种阶段式蚀刻方法，该阶段式蚀刻方法应用于一基底的蚀刻工艺，以控制该基底被蚀刻后的厚度及芯片尺寸大小，该阶段式蚀刻方法包括下列步骤：

在该基底相对的一顶、底表面分别形成一第一保护层以及一第二保护层；

进行一光刻腐蚀工艺，以于该第一保护层形成一图案；以及

对该基底进行一蚀刻工艺，以同时蚀刻该第一保护层以及部分该基底；

其中在该蚀刻工艺完全去除该第一保护层之后，仍继续进行该蚀刻工艺一预定的时间，以蚀刻该基底至一预定厚度，进而控制该基底蚀刻后的厚度及芯片尺寸大小。

9.如权利要求8所述的阶段式蚀刻方法，其中该基底包括玻璃、陶瓷、金属或一具有单晶结构的半导体材料。

10.如权利要求8所述的阶段式蚀刻方法，其中该第一、第二保护层的材料分别由金属、陶瓷或高分子材料所构成。

11.如权利要求10所述的阶段式蚀刻方法，其中该第一、第二保护层的材料由同一种材料所构成，但该第二保护层的厚度大于第一保护层。

12.如权利要求10所述的阶段式蚀刻方法，其中该第一、第二保护层的材料由不同材料所构成，且该第二保护层的被蚀刻速率小于该第一保护层。

13.如权利要求8所述的阶段式蚀刻方法，其中该蚀刻工艺包括一各向异性蚀刻工艺。

14.如权利要求8所述的阶段式蚀刻方法，其中该蚀刻工艺为一湿式蚀刻工艺、干式蚀刻工艺或机械式加工工艺。

15.一种阶段式蚀刻方法，该阶段式蚀刻方法应用于一基底的蚀刻工艺，以控制该基底被蚀刻后的厚度及芯片尺寸大小，该阶段式蚀刻方法包括下列步骤：

在该基底相对的一顶、底表面分别形成一第一保护层及一第二保护层；

进行一光刻腐蚀，以于该第一保护层形成一图案；

对该基底进行一第一蚀刻工艺，以蚀刻该基底；

进行一第二蚀刻工艺，以去除该第一保护层；以及

进行一第三蚀刻工艺，以蚀刻该基底直至一预定厚度，进而控制该基底被蚀刻后的厚度及芯片尺寸大小。

16.如权利要求15所述的阶段式蚀刻方法，其中该基底包括玻璃、陶瓷、金属或一具有单晶结构的半导体材料。

17.如权利要求15所述的阶段式蚀刻方法，其中该第一、第二保护层的材料分别由金属、陶瓷或高分子材料所构成。

18.如权利要求15所述的阶段式蚀刻方法，其中该第一、该第二与第三蚀刻工艺包括一湿式蚀刻工艺、干式蚀刻工艺或机械式加工工艺。

19.如权利要求15所述的阶段式蚀刻方法，其中该第一蚀刻工艺与该第三蚀刻工艺中，至少有一个为一各向异性蚀刻。