[发明专利]制造复合式无源元件的方法

权利要求书

1.一种制造复合式RC元件的方法，包含如下步骤：

第一步骤，形成绝缘材料的基板，且对该基板进行平坦化处理；

第二步骤，在该陶瓷或玻璃基板上形成该复合式RC元件，该第二步骤包含如下子步骤：

形成一电阻层及一第一金属导电层的子步骤，系以溅镀或蒸镀的技术在该基板上依序形成一电阻层及一第一金属导电层，且借由光刻及蚀刻技术，在该电阻层中形成作为电阻的图案，且在该第一金属导电层中形成作为电阻的两个电极的图案；

形成一介电层的子步骤，系以溅镀或CVD的技术在该第一金属导电层之上形成一介电层，且借由光刻及蚀刻技术，形成该电介质的图案；

形成一第二金属导电层的子步骤，系以溅镀或蒸镀的技术在该介电层之上形成第二金属导电层，且借由光刻及蚀刻技术，形成该第二金属导电层的图案；

第三步骤，采用厚膜封装的方式进行封装，该第三步骤具有如下子步骤：

印制保护层的子步骤，系利用网版印刷技术在晶粒表面之上印制保护层且进行干燥；

印制文字的子步骤，系利用网版印刷技术在保护层之上印制文字层且进行干燥；

裂片的子步骤，系进行裂片处理以得到各个晶粒，此晶粒即为该复合式RC元件；

端银的子步骤，系制作端电极且进行干燥；

电镀的子步骤，系进行电镀处理；

电特性检测的子步骤，系对所形成的该复合式RC元件进行电特性的全面检测；

包装的子步骤，系对所形成的该复合式RC元件进行包装。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在形成该第二金属导电层的子步骤之后，加上如下子步骤：

回火处理的子步骤，系对所形成的晶片进行回火处理，以消除应力；

激光修正的子步骤，系采用激光修正技术对晶片进行电阻值的修正；

电特性量测的子步骤，系对晶片进行电阻及电容的电特性量测。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该平坦化处理的方式为上釉或研磨抛光。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该基板系由Al₂O₃或AlN等陶瓷材料构成。

5.如权利要求3所述的方法，其中，该基板系由一般玻璃或硬玻璃等玻璃材料构成。

6.一种制造复合式LC元件的方法，包含如下步骤：

第一步骤，形成绝缘材料的基板，且对该基板进行平坦化处理；

第二步骤，在该陶瓷或玻璃基板上形成该复合式LC元件，该第二步骤包含如下子步骤：

形成一第一金属导电层的子步骤，系以溅镀或蒸镀的技术在该基板上形成一第一金属导电层，且借由光刻及蚀刻技术，在该第一金属导电层中形成作为电感的图案；

形成一介电层的子步骤，系以溅镀或CVD的技术在该第一金属导电层之上形成一介电层，且借由光刻及蚀刻技术，形成该电介质的图案；

形成一第二金属导电层的子步骤，系以溅镀或蒸镀的技术在该介电层之上形成第二金属导电层，且借由光刻及蚀刻技术，形成该第二金属导电层的图案；

第三步骤，采用厚膜封装的方式进行封装，该第三步骤具有如下子步骤：

印制保护层的子步骤，系利用网版印刷技术在晶粒表面之上印制保护层且进行干燥；

印制文字的子步骤，系利用网版印刷技术在保护层之上印制文字层且进行干燥；

裂片的子步骤，系进行裂片处理以得到各个晶粒，此晶粒即为该复合式RC元件；

端银的子步骤，系制作端电极且进行干燥；

电镀的子步骤，系进行电镀处理；

电特性检测的子步骤，系对所形成的该复合式LC元件进行电特性的全面检测；

包装的子步骤，系对所形成的该复合式LC元件进行包装。

7.如权利要求6所述的方法，其中，在形成该第二金属导电层的子步骤之后，加上如下子步骤：

回火处理的子步骤，系对所形成的晶片进行回火处理，以消除应力；

激光修正的子步骤，系采用激光修正技术对晶片进行电阻值的修正；

电特性量测的子步骤，系对晶片进行电阻及电容的电特性量测。

8.如权利要求7所述的方法，其中，此平坦化处理的方式为上釉或研磨抛光。