[发明专利]存储器无效
申请号: | 01112235.8 | 申请日: | 2001-03-30 |
公开(公告)号: | CN1333564A | 公开(公告)日: | 2002-01-30 |
发明(设计)人: | 国清辰也 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L21/8244;G11C11/4197 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 | ||
1.一种存储器,其特征在于:
具备:
多个(a)字线组<30>;
多个(b)位线组<40>;以及
多个与一个上述字线组<30>和一个上述位线组<40>对应地被设置的(c)存储单元<MC>,
上述(a)字线组<30>分别具有(a-1)写入字线<31>,
上述(b)位线组分别具有:
(b-1)写入位线<41>;以及
(b-2)与上述写入位线<41>对应地被设置的写入控制线<44>,
上述(c)存储单元<MC>分别具有:
(c-1)包含第1存储节点<N1>的记忆单元<SC>;以及
(c-2)只在对应的上述一个位线组<40>的上述写入位线<41>、连接在与上述第1存储节点之间的对应的上述一个上述字线组<30>的上述写入字线<31>和上述写入控制线<44>都激活了的情况下导通的第1开关<MN9,MN10>,
被选择了的上述位线组<40>中的上述写入控制线<44>激活,
不被选择的上述位线组<40>中的上述写入控制线<44>不激活。
2.如权利要求1中所述的存储器,其特征在于:
上述位线组<40>的每一个还具有:(b-3)与上述写入位线<41>对应地被设置的互补写入位线<42>,
上述记忆单元<SC>的每一个包含:(c-1-1)被供给与上述第1存储节点<N1>中的逻辑互补的逻辑的第2存储节点<N2>,
上述存储单元<MC>的每一个还具有:(c-3)只在对应的上述一个上述位线组<40>的上述互补写入位线<42>、连接在与上述第2存储节点<N2>之间的对应的上述一个上述字线组<30>的上述写入字线<31>和上述写入控制线<44>都激活了的情况下导通的第2开关<MN11,MN12>,
上述写入位线<41>和上述互补写入位线<42>在其所属的上述位线组<40>被选择了的情况下取相互互补的逻辑,在不被选择的情况下取相互相等的逻辑,
在一个上述位线组<40>中,上述写入控制线<44>取上述写入位线<41>与上述互补写入位线<42>的“异或”运算值。
3.如权利要求2中所述的存储器,其特征在于:
在非反转地放大上述写入位线<41>和互补写入位线<42>的电位后取上述“异或”运算值。
4.如权利要求1中所述的存储器,其特征在于:
上述第1开关包含:
(c-2-1)具备与上述写入控制线<44>连接的控制电极和第1及第2电流电极的第1晶体管<MN9>;以及
(c-2-2)具备与上述写入字线<31>连接的控制电极和第1及第2电流电极的第2晶体管<MN10>,
将上述第1晶体管的上述第1及第2电流电极和第2晶体管的上述第1及第2电流电极串联地连接在上述第1存储节点<N1>与上述写入位线<41>之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的