[发明专利]能显著抑制高频电流的接插件

权利要求书

1．一种接插件，包含有一个绝缘体以及由所述绝缘体固定住的至少一个接触头，其特征在于还包含一个高频电流抑制器，用以对流经所述至少一个接触头的、频率在几十MHz至几GHz频带内的高频电流进行衰减。

2．权利要求1的接插件，其中，所述高频电流抑制器附着于所述绝缘体上，以便所述接插件连接至一个啮合的接插件上时能对所述至少一个接触头进行屏蔽。

3．权利要求1的接插件，其中，所述高频电流抑制器附着于所述至少一个接触头上，以对所述至少一个接触头进行屏蔽。

4．权利要求1的接插件，其中，所述高频电流抑制器介入于所述绝缘体与所述至少一个接触头之间，以对所述至少一个接触头进行屏蔽。

5．权利要求2-4之任一个的接插件，其中，所述高频电流抑制器由溅喷法生成。

6．权利要求2-4之任一个的接插件，其中，所述高频电流抑制器由蒸镀淀积法生成。

7．权利要求1的接插件，其中，所述高频电流抑制器预先附着于制作所述至少一个接触头使用的一片金属板材料上。

8．权利要求1的接插件，其中，所述高频电流抑制器是当对制作所述至少一个接触头用的一片金属板材料进行切割而制成该接触头后，附着于所述至少一个接触头的表面上的。

9．权利要求1-8之任一个的接插件，其中，所述接插件是一个插座连接头，那里的所述至少一个接触头为一种插座类型。

10．权利要求1-8之任一个的接插件，其中，所述接插件是一个插针连接头，那里的所述至少一个接触头为一种插针类型。

11．权利要求1-10之任一个的接插件，其中，所述高频电流抑制器的薄膜厚度在0.3μm至20μm之间。

12．权利要求1-11之任一个的接插件，其中，所述高频电流抑制器是一种薄膜磁性物质。

13．权利要求1-12之任一个的接插件，其中，所述高频电流抑制器在几十MHz以下的频率范围内呈现出导电性。

14．权利要求1-13之任一个的接插件，其中，所述高频电流抑制器由包含有M、X和Y之磁性混合物的一种磁性物质构成，其中，M是由Fe、Co和/或Ni组成的一种金属磁性材料，X是不同于M和Y的一种或几种元素，Y是F、N和/或O，所述M-X-Y磁性混合物在其复合体中有一个集中的M，使得所述M-X-Y磁性混合物的饱和磁感应强度是单独包含M的磁性材料之饱和磁感应强度的35-80％，所述磁性混合物在0.1-10GHz(吉赫)频率范围内其相对磁导率的虚部μ″具有最大值μ″_max。

15．权利要求14的接插件，其中，所述磁性物质的饱和磁感应强度是单独包含混合成分M的金属磁性材料之饱和磁感应强度的80％至60％。

16．权利要求14或15的接插件，其中，所述磁性物质的直流电阻率在100μΩ·cm至700μΩ·cm之间。

17．权利要求14的接插件，它具有一个相对地宽带的磁导率频率响应，相对带宽bwr为150％或更大，所述相对带宽bwr决定于一个带宽对于一个频率的百分比值，所述带宽是相对磁导率虚部的值为其最大值μ″_max一半值即μ″₅₀时所对应的两个频率点之间的带宽，所述频率是该所述带宽的中心频率。

18．权利要求17的接插件，其中，所述磁性物质的饱和磁感应强度是单独包含混合成分M的一种金属磁性材料之饱和磁感应强度的60％至35％。

19．权利要求17或18的接插件，其中，所述磁性物质的直流电阻率大于500μΩ·cm。

20．权利要求14-19之任一个的接插件，其中，所述磁性物质中的混合成分X是选择自C、B、Si、Al、Mg、Ti、Zn、Hf、Sr、Nb、Ta和稀土元素中的至少一种元素。

21．权利要求14-20之任一个的接插件，其中，所述磁性物质中的混合成分M以颗粒结构的形式存在，这里，混合成分M的质点或微粒分散在混合成分X和Y之复合物的基体中。