[发明专利]能显著抑制高频电流的接插件

说明书

本发明涉及接插件，具体地涉及一种高频电流抑制型接插件，它具有一种功能，在使用中对通过接插件的高频电流能予以衰减。

电子通信领域内，通常将电子装置和数据处理装置(此后，统称为“系统组成部分”)组合起来作为一个运行系统。为了使各个系统组成部分互相连接起来，应用了接插件作为终端部分用于连接。接插件中包含至少一个接触头用于传输在每个系统组成部分中处理的信号，以及一个固定住接触头的绝缘体。这种类型的接插件通常分成一个具有针形接触的插针(可称之为阳插脚)和一个具有承套式接触的插座(可称之为阴插口)。

近些年来，广泛应用着包含有多个接触头的多接触头接插件。为了能传输出支持复杂功能的一种信号处理系统所对应的很多个信号，在近来应用的那些系统组成部分中将一个总体的多接触头接插件设计成有多个接触头，它们互相之间以预定的间隔高密度地安排在绝缘体中。

在近来应用的系统组成部分中，安装有各种类别的电子部件。例如，这些电子部件可以是半导体有源器件，包括诸如随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)的半导体存储器，可以是半导体集成电路器件(IC)、半导体大规模集成电路器件(LSI)，以及诸如微处理器(MPU)、中央处理单元(CPU)和图像处理算法逻辑单元(IPALU)等的逻辑电路器件。多接触头接插件对包含有谐波成分、频率范围从几十MHz至几GHz的这些信号进行传输，借以产生出一种半导体有源器件高速运行的结果。

如果在几十MHz至几GHz这样的频带内有高频电流流过诸如上述的多接触头接插件之类的常规接插件，可能由于在连接部分上存在不连续性而会产生出不需要的电磁波辐射，发生各类电磁干扰。

此外，通过接插件的高频电流会变成一种产生出高频噪波的因素，它将有害地影响其它电子部件或其它系统组成部分。所以，必须去除或者抑制此种高频电流。然而，现有的接插件中，没有考虑到充分的防范措施来对付这种高频电流。因此，很难防止高频噪波的产生。

所以，本发明的一个目的是提供一种接插件，它能显著地抑制作为不需要成分的高频电流，防止高频噪波的产生。

在叙述的进程中，本发明的其它目的将变得很清楚。

按照本发明的总的方面，提供出一种接插件，它包含有：一个绝缘体；由该绝缘体固定住的至少一个接触头，以及一个对流经该至少一个接触头之高频电流予以衰减的高频电流抑制器，高频电流的频率在几十MHz至几GHz的频带之内。该高频电流抑制器附着于绝缘体上，当接插件连接至一个啮合接插件上时，高频电流抑制器可屏蔽住这至少一个接触头。

按照本发明的另一个方面，提供出一种接插件，它包含有：一个绝缘体；由该绝缘体固定住的至少一个接触头；以及一个对流经该至少一个接触头之高频电流予以衰减的高频电流抑制器，高频电流的频率在几十MHz至几GHz频带之内。该高频电流抑制器附着于这至少一个接触头上，由之屏蔽住这至少一个接触头。

按照本发明的又一个方面，提供出一种接插件，它包含有：一个绝缘体；由该绝缘体固定住的至少一个接触头；以及一个对流经该至少一个接触头之高频电流予以衰减的高频电流抑制器，高频电流的频率在几十MHz至几GHz频带之内。该高频电流抑制器介入在绝缘体与该至少一个接触头之间，由之屏蔽住这至少一个接触头。

按照本发明的再一个方面，提供出一种接插件，它包含有：一个绝缘体；由该绝缘体固定住的至少一个接触头；以及一个对流经该至少一个接触头之高频电流予以衰减的高频电流抑制器，高频电流的频率在几十MHz至几GHz频带之内。该高频电流抑制器由包含M、X和Y之磁性混合物的磁性物质构成，其中，M是由Fe、Co和/或Ni组成的金属磁性材料，X是不同于M和Y的一种或几种元素，而Y是F、N和/或O，M-X-Y磁性混合物在复合体中有一个集中的M，使得该M-X-Y磁性混合物的饱和磁感应强度是单独包含M的金属磁性材料块之饱和磁感应强度的35-80％，在0.1-10 GHz(吉赫)频率范围内该磁性混合物其相对磁导率的虚部分μ″具有最大值μ″_max。

图1A是按照本发明一个实施例的一种高频电流抑制型接插件在插针与插座连接之前的未连接状态下的截面图；

图1B是图1A中所示的接插件在插针与插座连接之后的连接状态下的截面图；

图2是一种M-X-Y磁性混合物颗粒结构的示意图；

图3A是一个示意的截面图，示明在实例中应用的一种溅喷装置的结构；

图3B是一个示意的截面图，示明在实例中应用的一种蒸镀淀积装置的结构；

图4是一个曲线图，示明在实例1中薄膜样本1的一种磁导率频率响应；