[发明专利]一种掺锑二氧化锡浅色导电粉的制备方法无效
| 申请号： | 01113010.5 | 申请日： | 2001-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1317803A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 顾达;曹富基;张建荣;刘正光;杨云霞;陈树华 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学;江苏南天集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/08 | 分类号： | H01B1/08;H01B1/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 华东理工大学专利事务所 | 代理人： | 罗大忱 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺锑二 氧化 浅色 导电 制备 方法 | ||
1．一种掺锑二氧化锡浅色导电粉的制备方法，其特征在于，该方法依次按包括以下步骤：
(1)在三氯化锑的溶液中加入配合剂生成锑的配合物并与四氯化锡溶液相混合，制成锡锑混合液；
所说的配合剂为C2～C6的有机酸及其混合物；
掺杂锑的摩尔百分比为0.5～8.0％；
(2)将上述混合液与碱同时加入到水溶液中，控制pH值为1.5～3.5，获得掺杂锑的氢氧化物前驱体；
(3)加入有机小分子沉淀剂，获得一种导电粉体前驱体；
所说的有机小分子沉淀剂为草酸、乙酸或丙二酸中的一种；
(4)将该导电粉体前驱体进行煅烧，即得到本发明的类球形导电粉体。
2．如权利要求1所述的方法，其特征在于，三氯化锑与配合剂的摩尔比为：三氯化锑∶配合剂=1∶1～2。
3．如权利要求1所述的方法，其特征在于，将三氯化锑配制成浓度为0.01-0.05mol/L的溶液，然后加入配合剂，四氯化锡配制成浓度为0.05-0.2mol/L的溶液。
4．如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所说的配合剂为酒石酸、柠檬酸、苹果酸或乳酸中的一种或一种以上。
5．如权利要求4所述的方法，其特征在于，配合剂为酒石酸。
6．如权利要求1所述的方法，其特征在于，掺杂锑的摩尔百分比为2～5％。
7．如权利要求1所述的方法，其特征在于，所说的碱为氨水、氢氧化钠或氢氧化钾中的一种或一种以上。
8．如权利要求1所述的方法，其特征在于，导电粉体前驱体进行煅烧时升温速率如下：
常温～350℃：升温20～25℃/分钟，350℃～850℃：升温15～20℃/分钟，在850℃下恒温3小时。
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