[发明专利]一种MFI型沸石晶体的择优定向生长方法

权利要求书

1.一种MFI型沸石晶体的择优定向生长方法，用双模板剂水热合成，其特征是反应物无定形二氧化硅在微碱性条件下，与模板剂R1乌洛托品或其衍生物、模板剂R2正构烷基胺或羟化四丙基铵和水混合而成凝胶；凝胶老化后，在150-200℃下水热晶化5-20天，结晶产物经洗涤、过滤烘干即可，上述反应条件下反应物的摩尔配比是：

                  SiO₂/Al₂O₃   50-∞

                  OH^-/SiO₂      0-0.3

                 (R1＋R2)/SiO₂   0.2-2.0

                  R1/R2           0.1-2

                  F-/SiO₂        0-1

                  H₂O/SiO₂      30-100

2.根据权利要求1所述的MFI型沸石晶体的择优定向生长方法，其特征是反应物的摩尔比是：

                  SiO₂/Al₂O₃    100-∞

                  OH^-/SiO₂       0.05-0.15

                 (R1＋R2)/SiO₂    0.5-1.2

                 R1/R2             0.3-0.5

                 F-/SiO₂          0.3-0.4

                 H₂O/SiO₂        40-60

3.根据权利要求1所述的MFI型沸石晶体的择优定向生长方法，其特征模板剂R1是N-乙基-六亚甲基溴化四铵或六亚甲基四胺。

4.根据权利要求1所述的MFI型沸石晶体的择优定向生长方法，其特征是模板剂R2是甲胺、乙胺、正丙胺、正丁胺、正己胺和羟化四丙基铵。

5.根据权利要求1所述的MFI型沸石晶体的择优定向生长方法，其特征是反应体系中加入氟离子。

6.根据权利要求1所述的MFI型沸石晶体的择优定向生长方法，其特征是晶化温度是160-180℃。

7.根据权利要求1所述的MFI型沸石晶体的择优定向生长方法，其特征是晶化时间是5-13天。