[发明专利]一种MFI型沸石晶体的择优定向生长方法无效

专利信息
申请号: 01113207.8 申请日: 2001-06-28
公开(公告)号: CN1332114A 公开(公告)日: 2002-01-23
发明(设计)人: 王喜庆;宋茂莹;龙英才 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: C01B39/04 分类号: C01B39/04
代理公司: 复旦大学专利事务所 代理人: 姚静芳
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 mfi 型沸石 晶体 择优 定向 生长 方法
【说明书】:

发明是一种择优定向的沸石晶体的制备方法。

沸石分子筛是由硅氧四面体(SiO4)和铝氧四面体(AlO4)通过共用氧原子而相互连接起来的,具有三维骨架结构的一类晶态微孔材料。除了硅铝外,还可以用磷、镓、锗、钒、钛、铬、铁等元素代替或部分取代骨架中的硅和铝,而形成一些杂原子型沸石分子筛。

在分子筛骨架结构中形成许多有规则的孔道和/或空腔,这些孔道和空腔的大小为3~20,与分子大小相当。因此,沸石分子筛在工业上已被广泛应用于催化、吸附分离及离子交换等领域。

沸石分子筛的孔道是吸附与反应过程中分子出入的场所,影响分子扩散的是分子与沸石骨架之间的相互作用,而非分子间自身的相互作用。如果沸石结构中含有两种或多种不同大小、不同类型的互相交叉的孔道,分子可以沿着不同的孔道扩散,必定导致在不同方向上物质传输的差异。如果由这类沸石分子筛晶体构成的材料用于工业分离,晶体的择优取向将大大影响了被分离组分的扩散和透过行为。

MFI型沸石广泛用作石油化工催化剂与吸附剂,同时也是一种重要的沸石膜材料。含铝的MFI型沸石称作ZSM-5,而全硅型的则称作硅沸石(silicalite-1)。该沸石的结构中有两组不同的10元环孔道(见图1):平行于y轴方向(b轴)的为一直孔道,开口为椭圆形,大小为0.51×0.54nm;平行于x轴方向(a轴)的是一螺旋型孔道,开口近似于圆形,大小为0.54×0.54nm。这两组孔道互相交叉构成了MFI型沸石的孔道结构。外来分子(反应物分子、产物分子或被分离组分的分子)沿z轴(c轴)方向的扩散可以通过沿x轴和y轴方向的不断交替扩散来完成。Karge等人提出了一个“随机扩散”模型(Random Walk Model),认为在MFI结构中三个主要方向上的扩散系数Dx、Dy、Dz有如下关系式:

               c2/Dz=a2/Dx+b2/Dy其中a、b、c就是MFI型沸石的晶胞参数,a=2.007nm;b=1.992nm;c=1.342nm。假设分子在两组孔道交叉口处沿这两组孔道扩散的几率是相同的,那么沿x轴和y轴的扩散系数至少是沿z轴扩散系数的4.4倍,即Dxy/Dz≥4.4。分子动力学计算和脉冲场梯度NMR研究也证实了上述关系式的可靠性。

MFI型沸石晶体呈现出择优取向大部分是在沸石膜的生长中才实现的,其中b轴择优定向膜的研究最多。

虽然Koegler等人在12 SiO2-20 Na2O-20 TPA2O-2000 H2O体系中合成得到了b轴垂直于胶体表面的silicalite-1晶体,但只有在胶体还未完全结晶之前才能在整体上表现出来b轴择优取向;而在胶体完全结晶后,晶体便分散到母液中,在整体上就呈随机取向。

本发明的目的是开发一种MFI型沸石晶体的择优定向生长方法。

本发明用“双模板剂”方法,水热合成了沿ac平面择优生长、沿b轴择优取向的高硅MFI沸石晶体,并用XRD和SEM对样品进行表征。

本发明的产物是MFI型沸石,如ZSM-5沸石,或硅沸石-1。反应物无定形二氧化硅在微碱性条件下,与模板剂R1(乌洛托品或其衍生物、模板剂R2(正构烷基胺或羟化四丙基铵)和水混合而成凝胶。无定形二氧化硅是水玻璃,硅溶胶或白碳黑。加入的铝源一般是硫酸铝溶液,其Al2O3 wt%=7.49%。凝胶老化后,在150-200℃下水热晶化5-20天,结晶产物经洗涤、过滤烘干即可。反应物中pH值一般控制在7-11,加入适量的氟离子可适当提高结晶速度。反应体系的摩尔配比是

                   SiO2/Al2O3    50-∞

                   OH-/SiO2       0-0.3

                  (R1+R2)/SiO2    0.2-2.0

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