[发明专利]降低介电薄膜介电常数的方法与制作低介电孔隙薄膜的方法无效
| 申请号： | 01115624.4 | 申请日： | 2001-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1384535A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李鸿志;郑光凯 | 申请（专利权）人： | 晶研科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/312 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 台湾新竹市科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 薄膜 介电常数 方法 制作 低介电 孔隙 | ||
1.一种制作低介电孔隙薄膜的方法，包含下列步骤：
A)于一半导体基材上形成一介电薄膜；
B)将该形成有介电薄膜的半导体基材放入一高压惰性气体的气氛中；及
C)快速释放该气氛的压力，而于该介电薄膜的表面形成孔洞。
2.如权利要求1所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：进一步包含重复地进行步骤A)至步骤C)直至一所需的介电薄膜的厚度被获得。
3.如权利要求1所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：于步骤B)中将该形成有介电薄膜的半导体基材放入一高压槽内，并导入该高压惰性气体至该高压槽内。
4.如权利要求1所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：所述的惰性气体为一不与薄膜反应的气体。
5.如权利要求1所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：所述的惰性气体为二氧化碳、氮气、氦气、氩气、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、或它们的混合气体。
6.如权利要求1所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：所述的介电薄膜为利用CVD所沉积的低介电无机材料薄膜，或是利用旋转涂布所形成的低介电有机高分子薄膜。
7.如权利要求6所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：所述的低介电无机材料薄膜为SiOF、α-CF、或SiOC。
8.如权利要求6所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：所述的低介电有机高分子薄膜为聚醯亚胺或聚四氟乙烯。
9.如权利要求1所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：所述的高压惰性气体气氛具有一接近或超过该惰性气体的临界压力的压力。
10.权利要求9所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：所述的高压惰性气体气氛具有一接近或超过该惰性气体的临界温度的温度。
11.如权利要求1所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：所述的该高压惰性气体气氛为一超临界流体。
12.如权利要求1所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：于步骤C)以介于5psi/sec至110psi/sec之间的一降压速率来降低该气氛的压力。
13.如权利要求1所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：所述的孔洞主要包含直径范围介于5nm-80nm的孔洞。
14.如权利要求13所述的制作低介电孔隙薄膜的方法，其特征在于：所述的孔洞主要包含直径范围介于5nm-50nm的孔洞。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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