[发明专利]经由通道写入及抹除的嵌入式快闪记忆胞及其制作方法无效

申请号：	01116165.5	申请日：	2001-05-21
公开（公告）号：	CN1387260A	公开（公告）日：	2002-12-25
发明（设计）人：	徐清祥;杨青松	申请（专利权）人：	力旺电子股份有限公司
主分类号：	H01L27/04	分类号：	H01L27/04;H01L27/10;H01L21/82;G11C11/34
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司	代理人：	刘朝华
地址：	台湾省***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	经由通道写入嵌入式记忆及其制作方法
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【权利要求书】：

1、一种经由通道写入及抹除的嵌入式快闪记忆胞，其特征在于：它包括在N型基底上设置快闪记忆胞区及CMOS装置区；该快闪记忆胞区的主要结构包含有：于基底上形成深P型井，于该深P型井上形成N型井，在该N型井内适当位置处布植有一深P型布植区及一浅P型布植区，于该N型井上堆叠闸极；该CMOS装置区的主要结构包含有：于该基底上形成第一深P型井区，于该第一深P型井区上形成一第一N型井，且在该第一N型井内适当位置处布植有多数个P型布植区；于该基底上形成第二深P型井区，于该第一深P型井区上形成第二N型井，且在该第一N型井内适当位置处布植有多数个P型布植区。

2、如权利要求1所述的快闪记忆胞，其特征在于：该快闪记忆胞区的N型井内与堆叠闸间包括有一氧化层。

3、如权利要求2所述的快闪记忆胞，其特征在于：该堆叠闸与氧化层间为微笑型图案蚀设。

4、如权利要求1所述的快闪记忆胞，其特征在于：该快闪记忆胞区的N型井内的深P型布植区内尚布植有一N型布植区，为其汲极区。

5、如权利要求1所述的快闪记忆胞，其特征在于：该快闪记忆胞区的N型井内的深P型布植区的布植深度大于该浅P型布植区。

6、如权利要求1所述的快闪记忆胞，其特征在于：该快闪记忆胞区的N型井内的深P型布植区与该浅P型布植区的一端设有相连接部分。

7、如权利要求1所述的快闪记忆胞，其特征在于：该快闪记忆胞区N型井内的浅P型布植区的另一侧，设有一N型布植区为其源极区。

8、如权利要求7所述的快闪记忆胞，其特征在于：该N型布植区与该N型井内的浅P型布植区间包含有场氧化层及一N型离子通道阻绝层，该N型离子通道阻绝层设于该场氧化层下方。

9、如权利要求1所述的快闪记忆胞，其特征在于：该快闪记忆胞区的深P型布植区内布植N型布植区与该深P型布植区以一电性短路连接。

10、如权利要求9所述的快闪记忆胞，其特征在于：该电性短路是以一金属接触贯穿该深P型布植区内布植的N型布植区与该深P型布植区的接面。

11、如权利要求9所述的快闪记忆胞，其特征在于：该电性短路是以一金属接触将暴露出的该深P型布植区内布植的N型布植区与该深P型布植区连接。

12、如权利要求1所述的快闪记忆胞，其特征在于：该N型半导体与该P型半导体的材质结构上为互换。

13如权利要求12所述的快闪记忆胞，其特征在于：该NPN模式更换为PNP模式。