[发明专利]电子元件能量冲击测试系统及方法

权利要求书

1、一种电子元件能量冲击测试系统，其特征是：该测试系统包含：一对待测元件进行模拟连续瞬间能量冲击测试直至其结构崩溃为止、以便测试该待测元件结构品质的破坏性电子元件测试模式；一对待测元件进行模拟一次瞬间能量冲击测试、以便测试该待测元件能量耐冲能力的非破坏性电子元件测试模式；一用以控制该破坏性电子元件测试模式及非破坏性电子元件测试模式的程序控制结构。

2、如权利要求1所述的电子元件能量冲击测试系统，其特征是：其中该程序控制结构包含可控制该破坏性电子元件测试模式及非破坏性电子元件测试模式的一主控电脑及一可程序控制卡。

3、如权利要求1所述的电子元件能量冲击测试系统，其特征是：其中另包含一崩溃感测电路供感测待测试元件的结构崩溃。

4、如权利要求3所述的电子元件能量冲击测试系统，其特征是：其中该崩溃感测电路至少包含一水银震动开关、一光感测器及一信号转换电路。

5、如权利要求1所述的电子元件能量冲击测试系统，其特征是：其中该破坏性电子元件测试模式属破坏性单点测试结构。

6、如权利要求5所述的电子元件能量冲击测试系统，其特征是：其中该破坏性单点测试结构包含一主控电脑、一可程序控制卡、一测试基座、一控制电路、一可调式直流电源供应器、一崩溃感测电路。

7、如权利要求6所述的电子元件能量冲击测试系统，其特征是：其中该控制电路包含一开关模组、二开关驱动电路及二电源电路。

8、如权利要求7所述的电子元件能量冲击测试系统，其特征是：其中该开关模组由二半导体开关元件组成。

9、如权利要求1所述的电子元件能量冲击测试系统，其特征是：其中该非破坏性电子元件测试模式属非破坏性多点测试结构。

10、如权利要求9所述的电子元件能量冲击测试系统，其特征是：其中该非破坏性多点测试结构包含数个检测电路组，该检测电路组包含一桥式整流器、一测试基座、二开关、一测试电容、一放电电阻、一相位检测电路及一定位感测电路。

11、如权利要求10所述的电子元件能量冲击测试系统，其特征是：其中该检测电路组另包含光感测器及信号转换电路。

12、一种电子元件能量冲击测试方法，其特征是：其中该测试方法包含判别是否执行破坏性单点能量冲击的测试步骤。

13、如权利要求12所述的电子元件能量冲击测试方法，其特征是：其中若选择执行破坏性能量冲击测试时，则执行测试参数设定步骤，载入测试程序步骤，测试电容器开始充电步骤，对待测元件进行瞬间能量冲击，耐冲击次数计数步骤；在进行计数步骤后，执行判别是否接收崩溃信号；若未收到崩溃信号时，一直重复执行载入测试程序步骤；若收到收崩溃信号时，执行结束能量冲击步骤，回到能量冲击测试系统。

14、如权利要求13所述的电子元件能量冲击测试方法，其特征是：其中该测试参数设定步骤包含可程序控制卡初始设定、破坏性单点能量冲击测试参数设定、设定冲击时间及设定冷却时间。

15、如权利要求12所述的电子元件能量冲击测试方法，其特征是：其中在选择执行非破坏性多点能量冲击测试时，则执行测试参数设定步骤、载入非破坏性多点能量冲击测试程序步骤，判别是否执行负温度系数热敏电阻进料，若未进料时，回到能量冲击测试系统，若进料时，待测试元件进入测试区执行定位锁定；判别相位侦测是否在90度，若相位不在90度时，一直重复执行判别直至相位在90度为止，若相位在90度时，执行启动第一组开关阵列进行循序多点能量冲击测试；执行启动第二组开关阵列进行测试电容器放电，使测试电容器的电压为零，并一直重复执行判别是否执行负温度系数热敏电阻进料，直至未进料时，回到能量冲击测试系统。

16、如权利要求15所述的电子元件能量冲击测试方法，其特征是：其中该测试参数设定步骤包含可程序控制卡初始设定、非破坏性多点能量冲击测试参数设定、及定位校正。

17、如权利要求12所述的电子元件能量冲击测试方法，其特征是：其中该破坏性电子元件测试模式及非破坏性电子元件测试模式适用于负温度系数热敏电阻。