[发明专利]包括具有磁性损耗材料的金属盒的电子部件

权利要求书

1．一种在金属盒中包括电子电路或电路元件的电子部件，其中所述金属盒具有由磁性损耗材料构成的磁性金属薄膜。

2．按照权利要求1的电子部件，其特征在于所述磁性薄膜设置在所述金属盒中的位置，其中高频电流通过所述位置。

3．按照权利要求1的电子部件，其特征在于所述磁性薄膜设置在所述金属盒的内壁表面的至少一部分上。

4．按照权利要求3的电子部件，其特征在于所述磁性薄膜设置在所述金属盒的整个内壁表面上。

5．按照权利要求1到4中任何一项的电子部件，其特征在于所述磁性薄膜是由具有用M-X-Y表示的组成物的磁性损耗材料构成的，其中M表示Fe、Co和Ni中的至少一个，X表示除M和Y以外的元素中的至少一个，以及Y表示F、N和O中的至少一个，并且所述磁性损耗材料是这样一种窄带磁性损耗材料：在复磁导率特性中，虚部μ”的最大值μ”max出现在100MHz到10GHz的频率范围内，相对带宽bwr不大于200％，所述相对带宽bwr是通过提取μ”值为所述最大值μ”max的50％的两个频率之间的频率带宽并按其中心频率对所述频率带宽进行归一化而得到的。

6．按照权利要求5的电子部件，其特征在于所述磁性损耗材料的饱和磁化在只包含M成分的金属磁性物质的饱和磁化的80％到60％的范围内。

7．按照权利要求1到4的电子部件，其特征在于所述磁性薄膜是由具有用M-X-Y表示的组成物的磁性损耗材料构成的，其中M表示Fe、Co和Ni中的至少一个，X表示除M和Y以外的元素中的至少一个，以及Y表示F、N和O中的至少一个，所述磁性损耗材料是这样一种宽带磁性损耗材料：在复磁导率特性中，虚部μ”的最大值μ”max出现在100MHz到10GHz的频率范围内，相对带宽bwr不小于200％，所述相对带宽bwr是通过提取μ”值为所述最大值μ”max的50％的两个频率之间的频率带宽并按其中心频率对所述频率带宽进行归一化而得到的。

8．按照权利要求7的电子部件，其特征在于所述磁性损耗材料的饱和磁化在只包含M成分的金属磁性物质的饱和磁化的60％到35％的范围内。

9．按照权利要求5或6的电子部件，其特征在于所述磁性损耗材料是具有从100μΩ·cm到700μΩ·cm范围的直流电阻系数的窄带磁性损耗材料。

10．按照权利要求7或8的电子部件，其特征在于所述磁性损耗材料是具有大于500μΩ·cm的直流电阻系数的宽带磁性损耗材料。

11．按照权利要求5到10中任何一项的电子部件，其特征在于所述磁性损耗材料的X成分是C、B、Si、Al、Mg、Ti Zn、Hf、Sr、Nb、Ta和稀土元素中的至少一个。

12．按照权利要求5到11中任何一项的电子部件，其特征在于所述磁性薄膜的M以分散在X-Y组合物基体中的颗粒性形式存在。

13．按照权利要求5到11中任何一项的电子部件，其特征在于以颗粒性形式存在的粒子M的平均粒子直径在1nm到40nm的范围内。

14．按照权利要求5到12中任何一项的电子部件，其特征在于所述磁性损耗材料具有600奥斯特(4.74×10⁴A/m)或更小的各向异性磁场Hk。

15．按照权利要求5到14中任何一项的电子部件，其特征在于所述磁性损耗材料由从Fe_α-Al_β-O_γ和Fe_α-Si_β-O_γ中选择的式子表示。

16．按照权利要求5到15中任何一项的电子部件，其特征在于所述磁性损耗材料是由溅射和蒸汽沉积中的至少一种方法来形成的。

17．按照权利要求5到16中任何一项的电子部件，其特征在于所述磁性损耗材料具有0.3μm到20μm范围的厚度。