[发明专利]包括具有磁性损耗材料的金属盒的电子部件

说明书

本发明涉及包括金属盒或金属套的电子部件，具体地说，涉及包括具有磁性损耗材料的金属盒的电子部件，该部件利用了在高频下具有大的磁损耗特性的磁性物质并且该部件中的磁性物质具有有效抑制电磁干扰和不希望有的辐射的极佳复磁导率特性，所述干扰和辐射是由在高速操作类型的有源元件或高频电子部件和电子装置下有问题的金属盒的反射或谐振所引起的。

目前，高速操作类型的高度集成的半导体器件已经非常普及。作为一个例子，已知诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、微处理器(MPU)、中央处理单元(CPU)、或图像处理器运算逻辑单元(IPALU)的逻辑电路元件。关于这些有源元件，计算速度和信号处理速度迅速地提高，以致通过高速电子电路的电子信号发送是产生电介质高频噪声的主要原因，因为它伴随电压和电流的迅速变化。

另一方面，使得电子部件和装置轻、薄和小型化在无限地取得快速进展。因此，半导体器件的集成度和印刷线路板上电子部件的插件密度显著地提高。这样，紧密集成或插件的电子部件或信号线路被安排得彼此极为接近。这种以及上述的高速信号处理易于引起电磁干扰，它甚至引起高频或辐射噪声。

在当前这样的集成元件或线路板中，存在关于从电流供给线路到有源元件的所不期望的辐射问题。作为防止所述问题的对策，例如把诸如去耦电容等集总常数部件插入到电流供给线路。

可是，在高速电子集成元件或线路版中出现如下情况：利用传统集总常数电路作为先决条件的防噪声措施没有效果，因为由于所产生的噪声包括更高的谐波分量，信号路径起作分布常数的作用。

另外，包括金属盒或金属套的电子部件具有由金属盒的辐射或谐振引起的电磁干扰或不期望的辐射问题，下文将金属盒或金属套称为金属盒。

本发明的目的是提供一种包括金属盒的电子部件，其中由容纳这样的高速操作类型的半导体器件和电子电路的金属盒引起的电磁干扰和不期望的辐射得到减少。

按照本发明，提供一种在金属盒中包括电子电路或电路元件的电子部件。在本发明中，所述金属盒具有由磁性损耗材料构成的磁性薄膜。

这里，在按照本发明的包括金属盒的电子部件中，最好是把所述磁性薄膜设置在金属盒内高频电流通过的位置或至少在金属盒的内壁面的一部分。

另一方面，在按照本发明的包括金属盒的电子部件中，最好是由磁性损耗材料来构成所述磁性薄膜。磁性损耗材料具有由M-X-Y表示的组成物，其中M表示Fe、Co和Ni中的至少一个，X表示除M和Y以外的元素中的至少一个，并且Y表示F、N和O中的至少一个。磁性损耗材料是这样一种窄带磁性损耗材料：在复磁导率特性中，虚部μ”的最大值μ”max出现在100MHz到10GHz的频率范围内，相对带宽bwr不大于200％，其中相对带宽bwr是通过提取μ”值为最大值μ”max的50％的两个频率之间的频率带宽并以其中心频率对所述频率带宽进行归一化而得到的。另外，最好是由具有通过M-X-Y表示的组成物的磁性损耗材料来构成所述磁性薄膜，其中M表示Fe、Co和Ni中的至少一个，X表示除M和Y以外的元素中的至少一个，并且Y表示F、N和O中的至少一个。磁性损耗材料是这样的宽带磁性损耗材料：在复磁导率特性中，虚部μ”的最大值μ”max出现在100MHz到10GHz的频率范围内，相对带宽bwr不小于150％，其中相对带宽bwr是通过提取μ”值为最大值μ”max的50％的两个频率之间的频率带宽并以其中心频率对所述频率带宽进行归一化而得到的。

图1是按照本发明的第一实施例中的电介质谐振器滤波器的正面截面图；

图2是按照本发明的第二实施例中的调谐箱的示意截面图；

图3是按照本发明的一个实施例中的溅射装置的示意结构图；

图4示出按照本发明的一个实施例中的样品1的μ”与频率的关系的例子；

图5示出一个比较样品1的μ”与频率的关系的例子；

图6示出盒谐振测量系统；

图7示出图6所示的盒谐振与抑制和吸收材料面积的关系；

图8是盒谐振辐射的测量装置的示意结构图；和

图9示出由于盒谐振减小而抑制EMI辐射的例子。

在描述本发明的实施例之前将详细描述本发明的情况。