[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

具备：

晶体管形成区(101)，具有在半导体衬底上形成的多个源/漏区(8～14)和沿第1方向排列的、各自的栅宽方向与垂直于上述第1方向的第2方向一致的栅电极；以及

多个场效应晶体管，分别由上述多个栅电极(1～4)中的一个和上述多个源/漏区(8～14)中的二个构成，

上述多个场效应晶体管包含2种以上的沿上述多个源/漏区(8～14)的第2方向的长度、即有源区宽度(5～7)不同的晶体管，将上述多个栅电极(1～4)的各自的栅宽设置成最长的有源区宽度(5～7)以上。

2.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

将上述多个栅电极(1～4)的每一个设置成互相邻接的上述多个栅电极(1～4)的相对的侧壁的间隔大致相同。

3.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

上述多个栅电极(1～4)具有相同的栅长。

4.如权利要求3中所述的半导体装置，其特征在于：

该半导体装置具有多个上述晶体管形成区(102，103)，上述晶体管形成区(102，103)在上述第1方向上并排地配置，

在上述晶体管形成区之间设置了第1辅助图形电极(58)，

以与上述栅电极(31～36，46～49)相同的栅长来设置上述第1辅助图形电极(58)，同时将其设置在两侧的上述晶体管形成区(102，103)中设置的上述栅电极(31～36，46～49)的栅长方向的间距为相同的位置上，上述第1辅助图形电极(58)的栅宽方向的两端部被设置成与上述栅电极(31～36，46～49)的上述第2方向的两端部相同或超过其外侧。

5.如权利要求3中所述的半导体装置，其特征在于：

在上述第1方向上，在位于不与上述晶体管形成区(101)邻接的一侧的最外侧的上述栅电极(1，4)的外侧，设置了第2辅助图形电极(71，72)，

以与上述栅电极(1～4)相同的栅长来设置上述第2辅助图形电极(71，72)，同时将其配置成与上述栅电极(1～4)的上述第1方向的间距相同，上述第2辅助图形电极(71，72)的上述第2方向的两端部被设置成与上述栅电极(1～4)的上述第2方向的两端部相同或超过其外侧。

6.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

该半导体装置包含多个上述晶体管形成区，上述晶体管形成区在上述第2方向上并排地配置。

7.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

在被选择了的上述栅电极(1～4)的上述第2方向的端部上设置任意形状的栅布线部(15～18)。

8.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

上述多个栅电极包含在电性能方面孤立的至少一个栅电极(19，20)，在除此以外的栅电极(1～4)上连接其宽度比沿该栅电极(1～4)的第1方向的长度长的布线部(15～18)。

9.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

上述晶体管形成区(101)内的上述栅电极(1～4，19，20)包含有助于半导体装置的工作的第1栅电极(1～4)和无助于半导体装置的工作的第2栅电极(19，20)。

10.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

被选择了的上述栅电极(1～4)从上述第2方向的一端到另一端由一种材料构成。

11.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

被选择了的上述栅电极(1A，1B，2A，2B)从上述第2方向的一端到另一端被分割为2个以上。

12.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

将互相邻接的上述有源区(111～114)的上述第1方向的间隔设置成大致相同。

13.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

在上述晶体管形成区(101)中构成一个标准单元(21)。

14.一种半导体装置，其特征在于：

具备：

晶体管形成区(101)，具有在半导体衬底上形成的多个源/漏区(8～14)和沿第1方向排列的、各自的栅宽方向与垂直于上述第1方向的第2方向一致的栅电极；以及

多个场效应晶体管，分别由上述多个栅电极(1～4)中的一个和上述多个源/漏区(8～14)中的二个构成，

上述多个场效应晶体管包含2种以上的沿上述多个源/漏区(8～14)的第2方向的长度、即有源区宽度(5～7)不同的晶体管，将上述多个栅电极(1～4)的各自的栅宽设置成最长的有源区宽度(5～7)以上，在行方向和列方向上配置多个半导体装置，构成了半导体集成电路(96)。