[发明专利]光学接收器有效
| 申请号： | 01119103.1 | 申请日： | 2001-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1325141A | 公开（公告）日： | 2001-12-05 |
| 发明（设计）人： | 彼得·米斯切尔;海克·佩珀马勒－弗朗根 | 申请（专利权）人： | 维斯海半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04;H01L27/14;H04N3/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 孙征 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 接收器 | ||
【权利要求书】：
1．由半导体材料制成的光学接收器，
-具有一掺n型杂质区(8)，落入该区内的光辐射转换成电流，
-一基质(1)，它具有n型掺杂，并设置在掺n型杂质区(8)的下方，
其特征在于：光学接收器在掺n型杂质区(8)的上面具有由导电和透光材料组成的覆盖层(2)。
2．按权利要求1的光学接收器，其特征为：导电和透光材料(2)是掺杂的聚硅。
3．按权利要求1或2的光学接收器，其特征为：在掺n型杂质区(8)和由导电和透光材料组成的层(2)之间存在一绝缘层(3)。
4．按权利要求3的光学接收器，其特征为：绝缘层(3)具有倒斜的端面(10)。
5．按权利要求3的光学接收器，其特征为：绝缘层(3)由SiO2组成。
6．按上述权利要求之任一项的视觉接收器，其特征为：由导电和透光材料(2)组成的层与一掺杂的、特别是高掺杂的P-半导体层(7)导电连接。
7．按上述权利要求之任一项的光学接收器，其特征为：在基质(1)背面设有高掺杂的P+-半导体层(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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