[发明专利]光学接收器有效

专利信息
申请号: 01119103.1 申请日: 2001-05-16
公开(公告)号: CN1325141A 公开(公告)日: 2001-12-05
发明(设计)人: 彼得·米斯切尔;海克·佩珀马勒-弗朗根 申请(专利权)人: 维斯海半导体有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/04;H01L27/14;H04N3/14
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 孙征
地址: 联邦德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光学 接收器
【说明书】:

发明涉及一种按权利要求前序部分的光学接收器。

光学接收器主要用于远程控制,以将由发射器发出的光信号转变成电信号。因为远程控制应该在大的距离范围内的工作能力,从而对光线的反应非常灵敏,它必须屏蔽电磁干扰,例如由开关网络部件产生的干扰。出于这个原因在迄今为止的结构中采用一种渗n型杂质的基质,它在上表面上具有一个渗P型杂质的区域。渗P型杂质的区域成堆放置在光电子接收器的上表面上,因此防护电磁干扰。渗n型杂质的基质的其余表面,特别是侧面和底面通过附加的壳体防止电磁影响。这种类型的壳体构件具有实心的或栅网形金属壳体,它围绕光学接收器作为附加的壳体件设置在内部。这里接收器装入一设在安装条的槽形缺口内,并用一透光的盖子封闭。

但是这里其缺点是,需要附加的壳体件,并且用壳体封闭起来的光学接收器的尺寸非常大。由于必要的槽和盖子也限制了用壳体封闭的构件的角度特性。另一个缺点是,接收器未用壳体封闭的那很大一部分对于电磁辐射很敏感。

在EP 0866503 A2中公开了一种光学接收器,其中在一渗P型杂质的半导体基质上设有一渗n型杂质的光敏活性半导体区,在活性半导体区的表面上设有另一很强的渗P型杂质半导体层,它指状覆盖活性半导体区。这个附加的半导体结构用作电磁辐射的防护层。最后上表面包括防护层用一绝缘层覆盖。

这种结构的缺点是制造难于掌握,其中在半导体材料内必须加入附加的掺杂。其次这种结构的光学接收器具有大的电容,因为防护层上的电荷很难引出。

本发明的目的是,指出一种光学接收器,它不用附加的壳体来防护电磁影响,并且不用附加的半导体工序可以方便和成本低廉地制造。

按照本发明这个任务通过在权利要求1的特征部分的特征来解决。这里带掺P型杂质的基质的光学接收器具有一种由导电的穿透射线的材料组成的覆盖层,它用作电磁辐射的防护层和引出由电磁辐射产生的电荷。

本发明的优点在于,这种电磁防护成本非常低,并且在制造半导体板时只要用简单的方法便能涂上。减小了对电磁辐射敏感的表面。在这种方法中不需要附加的指状半导体结构。其次不再需要单独的壳体件来屏蔽接收器,因此具有电磁辐射屏蔽功能的接收器结构。特别是远程控制的,可以成本低廉地做在较小的壳体内。对于在壳体内的安装也不再需要槽板和盖子,它们不必要地缩小接收单元的角度特性。此外可以采用较简单的安装条,最后在接收器装入壳体内时取消了粘接过程。

优良的改进结构由从属权利要求得到。这里采用导电的聚硅或ITO(铟钛氧化物)作为覆盖层,接收器用它覆盖在上表面上。如果在活性层和聚硅覆盖层之间附加地设一SiO2绝缘层,此外聚硅层通过高掺杂的P+半导体层与基质导电连接,那么便减小结构的附加电容。用于涂覆氧化层的一种特别细心的方法是LTO(低温氧化)方法。其次如果在基质底面上有一高掺杂的P+半导体层,它保证良好的接地触点,证明是有利的。为了保证聚硅在氧化层端面上的良好涂覆,氧化层的棱边不是直角形,而是做成倾斜的。这种倾斜棱边通过锥形腐蚀产生。

下面借助于一个实施例对本发明加以说明。

唯一的图形表示带有聚硅覆盖层和厚的SiO2绝缘层的光学接收器。

图1表示一硅光电二极管,它用作远程控制光学接收器。

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