[发明专利]光照射装置、其制造方法及使用了该光照射装置的照明装置无效

专利信息
申请号: 01119471.5 申请日: 2001-05-31
公开(公告)号: CN1329364A 公开(公告)日: 2002-01-02
发明(设计)人: 坂本则明;小林义幸;前原荣寿;高桥幸嗣;阪本纯次;真下茂明;大川克实 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L25/13 分类号: H01L25/13;H01L33/00;F21S4/00;//F21W13100;F21Y10102
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘宗杰,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 照射 装置 制造 方法 使用 照明
【权利要求书】:

1.一种光照射装置,其特征在于,具备:已电分离的多个导电通路;固定于所希望的导电通路上的光半导体元件;以及树脂,覆盖该光半导体元件且一体地支持上述导电通路,并可使光透过。

2.根据权利要求1中所述的光照射装置,其特征在于,由分离槽对上述多个导电通路进行电分离,且把上述树脂充填到上述分离槽中。

3.根据权利要求2中所述的光照射装置,其特征在于,由上述树脂覆盖上述多个导电通路的表面,露出其背面。

4.根据权利要求1中所述的光照射装置,其特征在于,设置了连接上述光半导体元件的电极与其它上述导电通路的连接装置。

5.根据权利要求1中所述的光照射装置,其特征在于,还具有在上述导电通路的上表面形成的、由与上述导电通路不同的金属材料构成的导电覆盖膜。

6.根据权利要求5中所述的光照射装置,其特征在于,至少直到上述分离槽的开口部之内侧,形成了上述导电覆盖膜。

7.根据权利要求5中所述的光照射装置,其特征在于,在上述分离槽的开口部之外侧,形成了上述导电覆盖膜。

8.根据权利要求1中所述的光照射装置,其特征在于,上述导电通路由铜、铝、铁-镍、铜-铝及铝-铜-铝的任一种导电箔构成。

9.根据权利要求5中所述的光照射装置,其特征在于,上述导电覆盖膜由镍、金、钯、铝或银等构成的电镀膜来构成。

10.根据权利要求4中所述的光照射装置,其特征在于,上述连接装置由焊接丝构成。

11.根据权利要求1中所述的光照射装置,其特征在于,上述导电通路做为电极、焊接区或管芯焊区使用。

12.根据权利要求1中所述的光照射装置,其特征在于,在形成了上述导电覆盖膜的上述导电通路的、固定着上述光半导体元件的区域之周围,还具有具有使上述光半导体元件的光向上方反射用的倾斜角的弯曲部。

13.一种照明装置,其特征在于,在金属基板上具备多个根据权利要求1中所述的光照射装置。

14.一种光照射装置的制造方法,其特征在于,具备:

在至少除了成为导电通路的区域的上述导电箔上形成比该导电箔的厚度浅的分离槽、形成多个导电通路的工序;

把各光半导体元件固定到上述多个导电通路上的工序;

用可使光透过的树脂以充填到上述分离槽中的方式,覆盖上述各光半导体元件的工序;以及

除去未设置上述分离槽一侧的上述导电箔,使上述树脂露出的工序。

15.根据权利要求14中所述的光照射装置的制造方法,其特征在于,在把上述光半导体元件固定的工序之前,还具备在上述导电通路上的规定区域上形成导电覆盖膜的工序。

16.根据权利要求14中所述的光照射装置的制造方法,其特征在于,在用上述树脂进行覆盖的工序之前,还具备形成电连接上述所希望的光半导体元件的电极与上述导电通路的连接装置的工序。

17.根据权利要求15中所述的光照射装置的制造方法,其特征在于,在形成上述导电覆盖膜的工序之后,还具备以包围上述导电箔的至少固定光半导体元件的区域的方式,弯曲该导电箔的工序。

18.根据权利要求17中所述的光照射装置的制造方法,其特征在于,在用树脂覆盖上述光半导体元件的工序之前,还具备形成电连接上述所希望的光半导体元件的电极与上述导电通路的连接装置的工序。

19.根据权利要求14中所述的光照射装置的制造方法,其特征在于,还具备对于由上述可使光透过的树脂覆盖的多个光半导体元件进行分离的工序。

20.根据权利要求15中所述的光照射装置的制造方法,其特征在于,还具备对于由上述可使光透过的树脂覆盖的多个光半导体元件进行分离的工序。

21.根据权利要求16中所述的光照射装置的制造方法,其特征在于,还具备对于由上述可使光透过的树脂覆盖的多个光半导体元件进行分离的工序。

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