[发明专利]时间相依介电崩溃测试电路及测试方法

权利要求书

1.一种改进的时间相依介电崩溃测试电路，用于测试一介电层，所述介电层至少构成一第一电容与一第二电容，其特征在于，所述电路包括：

一第一限流装置，是与所述第一电容串联；

一第二限流装置，是与所述第二电容串联，并与所述第一限流装置并联；以及

一降压装置，是与所述第二电容、所述第二限流装置串联；

通过流经所述测试电路的一判断电流，判断所述第一电容与所述第二电容的一崩溃。

2.如权利要求1所述的改进的时间相依介电崩溃测试电路，其特征在于，所述崩溃，是指电容的崩溃(breakdown)造成电导通、并有一电流流经所述电容的现象。

3.如权利要求1所述的改进的时间相依介电崩溃测试电路，其特征在于，所述判断电流是因应所述第一电容的所述崩溃，而具一第一电流值，并流经所述第一电容。

4.如权利要求1所述的改进的时间相依介电崩溃测试电路，其特征在于，所述判断电流是因应所述第二电容的所述崩溃，而具一第二电流值，并流经所述第二电容。

5.如权利要求4所述的改进的时间相依介电崩溃测试电路，其特征在于，所述第二电流值是异于所述第一电流值。

6.如权利要求1所述的改进的时间相依介电崩溃测试电路，其特征在于，所述第一限流装置与所述第二限流装置是为电阻。

7.如权利要求1所述的改进的TDDB测试电路，其特征在于，所述降压装置是为二极管。

8.如权利要求1所述的改进的时间相依介电崩溃测试电路，其特征在于，所述介电层是为芯片制造过程中的结构。

9.如权利要求1所述的改进的时间相依介电崩溃测试电路，其特征在于，所述介电层还包含数个电容。

10.如权利要求9所述的改进的时间相依介电崩溃测试电路，其特征在于，所述测试电路还包含数个限流装置，并与所述电容串联。

11.如权利要求10所述的改进的时间相依介电崩溃测试电路，其特征在于，所述测试电路还包括数个降压装置，与所述限流装置、所述电容串联。

12.如权利要求9所述的改进的时间相依介电崩溃测试电路，其特征在于，所述判断电流，是相应所述电容的所述崩溃而具数个电流值，而所述电流值是为不完全相同。

13.一种改进的时间相依介电崩溃测试方法，包括下列步骤：

提供一测试电路，所述测试电路至少包含一第一电容与一第二电容；以及

输入一固定电压至所述测试电路，并通过流经所述测试电路的一判断电流，来判断所述第一电容与所述第二电容是否崩溃。

14.如权利要求13所述的改进的时间相依介电崩溃测试方法，其特征在于，还包括：

提供一第一限流装置，所述第一限流装置串联所述第一电容；

提供一第二限流装置，所述第二限流装置串联所述第二电容；以及

提供一降压装置，所述降压装置串联所述第二限流装置与所述第二电容。

15.如权利要求13所述的改进的时间相依介电崩溃测试方法，其特征在于，所述崩溃是指电容的破坏崩溃造成电导通、并有一电流流经所述电容的现象。

16.如权利要求13所述的改进的时间相依介电崩溃测试方法，其特征在于，所述判断电流是相应所述第一电容的所述崩溃，而具一第一电流值，并流经所述第一电容。

17.如权利要求13所述的改进的时间相依介电崩溃测试方法，其特征在于，所述判断电流是相应所述第二电容的所述崩溃，而具一第二电流值，并流经所述第二电容。

18.如权利要求13所述的改进的时间相依介电崩溃测试方法，其特征在于，所述第二电流值是异于所述第一电流值。

19.如权利要求13所述的改进的时间相依介电崩溃测试方法，其特征在于，所述第一限流装置与所述第二限流装置是为电阻。

20.如权利要求13所述的改进的时间相依介电崩溃测试方法，其特征在于，所述降压装置是为二极管。

21.如权利要求13所述的改进的时间相依介电崩溃测试方法，其特征在于，所述测试电路是形成于一介电层上。