[发明专利]制备无孔洞的金属间介电层的方法

权利要求书

1、一种制备无孔洞的金属间介电层的方法，包括形成有多数个金属导线的半导体基底，其特征是：它包括如下步骤：

(1)以高密度电浆化学气相沉积法沉积一氧化层覆盖住该金属导线，且该氧化层在该金属导线的上方形成隆起状；

(2)对该氧化层施以一电浆处理程序，以去除该氧化层的隆起部分；

(3)沉积一介电层于该氧化层之上。

2、根据权利要求1所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该金属导线之间具有间隙，且该氧化层完全填入该间隙。

3、根据权利要求1所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该金属导线之间具有间隙，且该氧化层部分填入该间隙。

4、根据权利要求1所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该电浆处理程序是使用一惰气电浆。

5、根据权利要求4所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该惰气电浆是选自下列至少一种：Ar、He、N₂。

6、根据权利要求1所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该电浆处理程序是使用一反应性气体电浆。

7、根据权利要求6所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该反应性气体电浆是选自下列至少一种：O₂、N₂O。

8、根据权利要求1所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该电浆处理程序是与该高密度电浆化学气相沉积in-situ进行。

9、根据权利要求1所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该氧化层的隆起部分具有三角形的剖面形状。

10、根据权利要求1所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该氧化层经过电浆处理程序后，在该些金属导线上方的部分具有梯形的剖面形状。

11、根据权利要求1所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该介电层为氧化硅材质。

12、一种制备无孔洞的金属间介电层的方法，包括形成有多数个金属导线的半导体基底，且该金属导线之间具有间隙，其特征是：它包括如下步骤：

(1)以高密度电浆化学气相沉积法沉积一氧化层覆盖住该金属导线，该氧化层部分填入该间隙，且在该金属导线的上方形成隆起状；

(2)对该氧化层施以一电浆处理程序，以去除该氧化层的隆起部分；

(3)沉积一介电层于该氧化层之上；

(4)将该介电层平坦化。

13、根据权利要求12所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该电浆处理程序是与该高密度电浆化学气相沉积in-situ进行。

14、根据权利要求12所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该氧化层的隆起部分具有三角形的剖面形状。

15、根据权利要求12所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该氧化层经过电浆处理程序之后，在该金属导线上方的部分具有梯形的剖面形状。

16、根据权利要求12所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该介电层包含一旋涂式玻璃层。

17、根据权利要求12所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该介电层包含一电浆增益化学气相沉积法所形成的氧化层。

18、根据权利要求12所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该介电层是以化学机械研磨法将其平坦化。

19、根据权利要求12所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该电浆处理程序所使用的电浆，是选自下列惰气电浆所组成的至少一种：Ar、He、N₂。

20、根据权利要求12所述的制备无孔洞的金属间介电层的方法，其特征是：该电浆处理程序所使用的电浆，是选自下列反应性气体电浆所组成的至少一种：O₂、N₂O。