[发明专利]制造用于有机发光装置的发射层的方法无效
申请号: | 01120897.X | 申请日: | 2001-06-07 |
公开(公告)号: | CN1338887A | 公开(公告)日: | 2002-03-06 |
发明(设计)人: | M·E·隆;邓青云 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 卢新华,罗才希 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 用于 有机 发光 装置 发射 方法 | ||
1.一种制造场致发光装置的方法,该装置具有基片和至少一层包含基质材料的掺杂剂接受层,在掺杂时,基质材料形成发射层,该方法包括以下步骤:
(a)制造至少一层掺杂剂层,其中具有配置在掺杂剂接受层上面和下面的掺杂剂;
(b)制造阳极和阴极,以使掺杂剂接受层和掺杂剂层配置在该阳极和阴极之间;和
(c)加热场致发光装置,使掺杂剂从掺杂剂层扩散到掺杂剂接受层中,形成掺杂剂在基质材料中均匀分散的发射层。
2.一种制造场致发光装置的方法,该装置具有基片和至少一层包含基质材料的掺杂剂接受层,在掺杂时,基质材料形成发射层,该方法包括以下步骤:
(a)制造至少一层掺杂剂层,其中具有配置在掺杂剂接受层上面或下面的掺杂剂;
(b)制造阳极和阴极,以使掺杂剂接受层和掺杂剂层配置在该阳极和阴极之间;和
(c)加热步骤(a)-(b)制造的构件,加热的温度和时间,足以使掺杂剂从掺杂剂层扩散到掺杂剂接受层中,形成发射层,所以在阳极和阴极之间施加电位时,能从发射层发光。
3.一种制造场致发光装置的方法,该装置具有基片和至少一层包含基质材料的掺杂剂接受层,在掺杂时,基质材料形成一个发射层,该方法包括以下步骤:
(a)沉积至少一掺杂剂层,并将其形成图案,掺杂剂层具有配置在掺杂剂接受层上面或下面的掺杂剂;
(b)制造阳极和阴极,将掺杂剂接受层和掺杂剂层配置在该阳极和阴极之间;和
(c)加热步骤(a)-(b)制造的构件,加热的温度和时间,足以使掺杂剂从掺杂剂层扩散到掺杂剂接受层中,形成发射层,所以在阳极和阴极之间施加电位时,能从发射层发光。
4.权利要求3的方法,其中沉积和形成图案的步骤包括,沉积至少一层并将其形成图案,相应不同颜色的发光象素,在不同的图案部分上加入不同的染料,所以在阳极和阴极之间施加电位时,形成不同颜色的发光象素。
5.权利要求2的方法,其中加热步骤,包括在温度50-250℃下加热该构件,加热时间足以使掺杂剂扩散到掺杂剂接受层中。
6.权利要求2的方法,其中有二层配置在阳极和阴极之间,一层是空穴迁移层,掺杂剂扩散到其中以形成发射层,另一层是电子迁移层,与发射层邻接。
7.权利要求2的方法,其中有二层位于阳极和阴极之间,一层是电子迁移层,掺杂剂扩散到其中以形成发射层,另一层是空穴迁移层,与发射层邻接。
8.权利要求3的方法,其中采用下列方法使掺杂剂层形成图案:喷墨印刷、热染扩散印刷、胶版印刷、蜡转印印刷或印刷技术。
9.权利要求3的方法,其中采用通过孔掩模的真空沉积掺杂剂材料的方法,将掺杂剂层形成图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司,未经伊斯曼柯达公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01120897.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。