[发明专利]制造用于有机发光装置的发射层的方法

说明书

本发明涉及制造有机发光装置的方法，更具体而言，涉及通过掺杂剂从掺杂剂层扩散到掺杂剂接受层中形成的有机发光装置发光层的方法。

有机发光装置也称作有机场致发光(EL)装置，或称作有机内接型发光装置，其中包含被有机发光构件(也称作有机EL介质)分开的间隔电极，该电极能相应于在电极之间施加的电位差而发光。至少一个电极是透光的，有机发光构件可具有多层有机薄膜，这些薄膜能分别提供来自阳极的空穴注入和输出，以及来自阴极的电子注入和输出，以及在空穴迁移和电子迁移薄膜之间的界面上形成的内接点处由于电子-空穴再复合而发光。本申请采用的术语“薄膜”，系指层厚度小于1μm，层厚度小于0.5μm是有代表性的。共同转让的美国专利-A-4,356,429、4,539,507、4,720,432和4,769,292，提供一些包含通过薄膜沉积技术制成的有机发光构件和阴极构件的有机发光装置的实例。

在有机发光装置运行过程中，发光的光谱分布(以光谱光度量度)，与在装置构件中使用的有机薄膜的场致发光性能有关。例如，如果有机发光构件中包括一层含发光基质材料的层，则在所发的光中，基质材料所发的光占优势。

上面援引的共同转让的美国专利-A-4,769,292认为，如果该装置包括厚度小于1μm并由能维持空穴-电子再复合的有机基质材料和少量能响应由空穴-电子再复合释放的能量而发光的荧光材料组成的发光区(或发光层)，则有机发光装置就能获得有利的操作特性。将荧光材料加入发光基质材料层中，能改善发光的颜色，并能提高有机发光装置的操作稳定性。与在半导体工业中采用的技术术语类似，以相当低的浓度均匀分散在发光的有机基质材料中的荧光材料被称作“掺杂剂”。

在目前的实域中，发光装置的有机薄膜是在真空系统内在控制沉积速率的逐步沉积步骤中，通过蒸气沉积(蒸发或升华)制成的。在有机发光层中均匀地加入荧光掺杂剂时，能从二个独立控制的沉积源共沉积发光的基质材料和荧光掺杂剂材料。当有机发光层的基质材料中，所要求的掺杂剂浓度处于或接近10^-3至约10％(摩尔)的掺杂剂浓度下限时，控制荧光掺杂剂和基质材料各自的沉积速率是必要的。可靠地控制有机发光基质材料和荧光掺杂剂材料沉积速率的困难，是以重现性方法制造包含一种或多种荧光掺杂剂的有机场致发光装置的障碍。

最近在WO99/39373中公开的制造场致发光装置的另一种方法是采用组件的图案形成，但并未在制成的装置上操作，采用这种方法，制造图案需要破坏真空，然后再在真空或惰性气氛下完成装置的制造。

本发明的目的，是提供一种改进的制造掺杂的发射层的方法，这种方法克服了一些现有技术方法的困难。

因此，本发明的目的，是提供一种制造场致发光装置的方法，和一种使掺杂剂从掺杂剂层扩散到掺杂剂接受层中的方法，该装置具有基片；在基片上制造的阳极；和至少一层掺杂剂接受层，在掺杂时，掺杂剂接受层形成配置在阳极上的发射层和配置在发射层上的阴极。

这些目的是采用制造场致发光装置的方法实现的，该装置具有基片，和至少一层包含基质材料的掺杂剂接受层，在掺杂时，基质材料形成发射层，该方法包括下列步骤：

(a)制造至少一层具有掺杂剂的掺杂剂层，掺杂剂配置在掺杂剂接受层的上面或下面；

(b)制造阳极和阴极，以使掺杂剂接受层和掺杂剂层配置在阳极和阴极之间；和

(c)加热场致发光装置，使掺杂剂从掺杂剂层扩散到掺杂剂接受层中，形成掺杂剂均匀分散在基质材料中的发射层。

本发明的一个重要特点，是在掺杂剂扩散到掺杂剂接受剂层中之前，可将掺杂剂制成图案，因而制成带图案的多色发射装置。

本发明的另一个特点，是将形成发射层的有机掺杂剂接受材料的沉积层，与有机掺杂材料的沉积分开，并在装置加工完成以后，使掺杂剂材料进入基质材料中。

通过将有机发光层的沉积步骤与荧光掺杂剂层的沉积步骤分开，可以把这些层的每一层分别制成所需的厚度，从而避免了采用现有技术方法制造掺杂的发光层时相关的沉积速率控制问题。因此，大大地简化了沉积方法，降低了所需设备的复杂性。

可采用常规的蒸气沉积方法(蒸发、升华)，制造有机发光基质材料的发光层，另外，可采用聚合有机发光材料的涂覆制造。

掺杂剂层可由常规的蒸气沉积方法制造，另外，可采用通过加热诱导，从在施主载体上制造的掺杂剂施主层迁移的方法，或采用如喷墨印刷、照相凹版印刷、胶版印刷、网版印刷、曲面印刷、或静电印刷之类的其它印刷方法制造。