[发明专利]反差改善的光热敏成象元件以及成像方法无效
| 申请号： | 01121192.X | 申请日： | 2001-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1329277A | 公开（公告）日： | 2002-01-02 |
| 发明（设计）人： | D·T·索斯比;杨希强;Z·R·奥夫查茨克 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | G03C1/06 | 分类号： | G03C1/06;G03C5/29;G03C7/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温宏艳,罗才希 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反差 改善 热敏 成象 元件 以及 成像 方法 | ||
1.一种包含至少1个卤化银乳剂层的卤化银光热敏成象元件，所述卤化银元件还包含通式I的酰氨基化合物
其中INH是显影抑制剂；
LINK是连接或定时基团，m是0、1或2；以及
R1和R2独立地是氢原子或脂族、芳族或杂环基团，或者R1和R2与它们所连接的氮原子一起代表为构成一个5或6元环或者多环体系所需要的原子，或者R1和R2独立地是-C(＝O)(LINK)m-INH-基团，或者取代上-NR3C(＝O)-(LINK)m-INH，R3的定义同R1或R2，条件是R1和R2中只能有一个是氢原子。
2.权利要求1的卤化银元件，其中R1是氢原子。
3.权利要求1的卤化银元件，其中INH是取代或未取代的含1～4个氮原子的杂环环或多环体系。
4.权利要求2的卤化银元件，其中INH是取代或未取代的含1～4个氮原子的杂环环或多环体系。
5.权利要求1的卤化银元件，其中INH是取代或未取代的苯并三唑。
6.权利要求2的卤化银元件，其中INH是取代或未取代的苯并三唑。
7.权利要求1的卤化银元件，其中R1和R2独立地代表氢原子或1～32个碳原子的烷基基团或6～10个碳原子的芳族基团。
8.权利要求2的卤化银元件，其中R2是1～32个碳原子的烷基基团或6～10个碳原子的芳族基团。
9.权利要求1的卤化银元件，其中酰氨基化合物是
10.一种图象曝光的配方如权利要求1的光热敏成象元件的显影方法，它包含所述图象曝光元件在约90℃～约180℃的温度处理约0.5～约60s的时间。
11.一种成像方法，它包括对经图象曝光并显影的配方如权利要求1的成象元件进行扫描的步骤，从而形成所述图象曝光的第1电子图象表达。
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