[发明专利]单晶GaN基体的制造方法和单晶GaN基体

权利要求书

1.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，在与GaN单晶生长中的生长方向平行的面处进行切片加工。

2.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，通过在GaN单晶生长中与生长方向平行的面处进行切片加工，以降低贯通基体表面的贯通转位。

3.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，在与GaN单晶生长中的转位走向平行的面处进行切片加工。

4.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，通过在GaN单晶生长中与转位走向平行的面处进行切片加工，以降低贯通基体表面的贯通转位。

5.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，在GaN单晶生长中，晶体生长面是{1-100}，在与该晶体生长方向平行的(0001)面处进行切片加工。

6.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，在GaN单晶生长中，晶体生长面是{11-20}，在与该晶体生长方向平行的(0001)面处进行切片加工。

7.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，将表面具有{1-100}面的GaN单晶作为晶种，进而将{1-100}面作为生长面而进行生长，在与该生长方向平行的(0001)面处进行切片加工，得到将(0001)面作为表面的单晶GaN基体。

8.根据权利要求7记载的单晶GaN基体的制造方法，特征是，作为晶种的表面具有{1-100}面的GaN单晶是从将(0001)面作为生长面生长的GaN单晶，在与其生长方向平行的{1-100}面处切片。

9.根据权利要求7记载的单晶GaN基体的制造方法，特征是，作为晶种的表面具有{1-100}面的GaN单晶是从将{11-20}面作为生长面进行生长的GaN单晶，在与其生长方向平行的{1-100}面处切片。

10.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，将表面具有{11-20}面的GaN单晶作为晶种，进而将{11-20}面作为生长面而进行生长，在与其平行的(0001)面处进行切片加工，得到以(0001)面为表面的单晶GaN基体。

11.根据权利要求10记载的单晶GaN基体的制造方法，特征是，作为晶种的表面具有{11-20}面的GaN单晶是从将(0001)面作为生长面进行生长的GaN单晶，在与该生长方向平行的{11-20}面处切片。

12.根据权利要求10记载的单晶GaN基体的制造方法，特征是，作为晶种的表面具有{11-20}面的GaN单晶是从将{1-100}面作为生长面而生长的GaN晶体，在{11-20}面处进行切片。

13.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，在GaN单晶的生长中，晶体生长面是{0001}面，通过在与其晶体生长方向平行的{1-100}面处进行切片加工，表面上具有{1-100}面。

14.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，将表面具有{0001}面的GaN单晶作为晶种，进而将{0001}面作为生长面进行生长，通过在{1-100}面处进行切片加工，表面上具有{1-100}面。

15.根据权利要求14记载的单晶GaN基体的制造方法，特征是，作为晶种的表面上具有{0001}面的GaN单晶是从将{11-20}面或{1-100}面作为生长面而生长的GaN晶体，在{0001}面处进行切片。

16.根据权利要求14记载的单晶GaN基体的制造方法，特征是，作为晶种的表面上具有{0001}面的GaN单晶是从将{0001}面作为生长面而生长的GaN晶体，在{0001}面处进行切片。

17.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，在GaN单晶的生长中，晶体生长面是{0001}面，与其晶体生长方向平行的{11-20}而进行切片加工，表面上具有{11-20}面。

18.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，将表面具有{0001}面的GaN单晶作为晶种，进而将{0001}面作为生长面而进行生长，在{11-20}面处进行切片加工，得到以{11-20}面为表面的单晶GaN基体。