[发明专利]半导体存储器

权利要求书

1、一种半导体存储器，包括：栅电极隔着铁电层形成在半导体衬底上的场效应型晶体管，其中：

在上述铁电层和上述栅电极之间形成有比上述铁电层对漏电流的绝缘性高的第1绝缘层。

2、根据权利要求第1项所述的半导体存储器，其中：

又备有形成在上述铁电层和上述半导体衬底之间、并比上述铁电层对漏电流的绝缘性高的第2绝缘层。

3、根据权利要求第1项所述的半导体存储器，其中：

上述第1绝缘层至少包括含有锶及钽的氧化物层。

4、根据权利要求第1项所述的半导体存储器，其中：

上述铁电层由铋层状化合物形成，上述第1绝缘层至少包括含有锶及钽的氧化物层。

5、根据权利要求第1项所述的半导体存储器，其中：

上述铁电层由锆钛酸铅形成，上述第1绝缘层至少包括含有锆钛酸铅的氧化物层。

6、一种半导体存储器，包括：栅电极隔着铁电层形成在半导体衬底上的场效应型晶体管，其中：

上述铁电层被它比上述铁电层对漏电流的绝缘性还高的绝缘层覆盖。

7、根据权利要求第6项所述的半导体存储器，其中：

上述绝缘层至少包括含有锶及钽的氧化物层。

8、根据权利要求第6项所述的半导体存储器，其中：

上述铁电层由铋层状化合物形成，上述绝缘层至少包括含有锶及钽的氧化物层。

9、根据权利要求第6项所述的半导体存储器，其中：

上述铁电层由锆钛酸铅形成，上述绝缘层至少包括含有锆钛酸铅的氧化物层。