[发明专利]薄膜晶体管阵列基板结构有效
| 申请号： | 01123964.6 | 申请日： | 2001-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1400670A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 钟德镇;简廷宪;李得秀 | 申请（专利权）人： | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/133;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省台北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 板结 | ||
1、一种薄膜晶体管阵列基板结构，至少包括：
一个基板；
复数个像素，每一像素包括一薄膜晶体管、一像素电极、一扫描配线以及一数据配线，其中该薄膜晶体管包括一闸极、一源极以及一汲极，该闸极与该扫描配线连接，该源极与该数据配线连接，而该汲极与该像素电极电性连接，其特征是：
该基板具有一个第一侧边，所述第一像素电极是沿着远离该第一侧边的方向延伸而部分重叠于一相邻的扫描配线上；以及
该结构还包括复数个拟电极，这些拟电极会有部分区域重叠于一个最靠近该第一侧边的扫描配线上。
2、如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板结构，其特征是：这些拟电极与所述像素电极具有一致的图案。
3、如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板结构，其特征是：每一拟电极下方还配置有至少一个插塞和一个共享配线，这些拟电极分别通过这些对应的插塞连接到该共享配线上。
4、如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板结构，其特征是：该共享配线连接于一电压。
5、如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板结构，其特征是：这些拟电极与这些像素电极具有一致的图案化。
6、一种薄膜晶体管阵列基板结构，至少包括：
一个基板；
复数个像素，每一像素包括一薄膜晶体管、一像素电极、一扫描配线以及一数据配线，其中，该薄膜晶体管包括一闸极、一源极以及一汲极，该闸极与该扫描配线连接，该源极与该数据配线连接，而该汲极与该像素电极电性连接，其特征是：
该基板具有一个第一侧边，所述第一像素电极沿着远离该第一侧边的方向延伸而部分重叠在一个相邻的扫描配线上；该结构还包括：
复数个拟电极，这些拟电极会有部分区域重叠于一个最靠近该第一侧边的扫描配线；
复数个插塞配置在这些拟电极的下方，每一插塞具有一个第一端与一个第二端，该第一端与该拟电极电性连接；以及
一共享配线，配置在这些拟电极的下方，与所述第二端电性连接。
7、如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板结构，其特征是：这些拟电极与该像素电极具有一致的图案。
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