[发明专利]薄膜晶体管阵列基板结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种薄膜晶体管阵列基板结构，且特别是有关于一种在最后一条扫描配线上方形成具有电容补偿作用的拟电极(dummy electrode)的薄膜晶体管阵列基板结构，该结构通过具有电容补偿作用的拟电极平衡最边缘扫描配线与其它扫描配线的电容效应。

背景技术

目前，多媒体技术飞速发展，主要得益于半导体组件或人机显示装置的飞跃性进步。就显示器而言，阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有优异的显示质量与其经济性，一直独占近年来的显示器市场。然而，对于个人在桌上操作多数终端机/显示器装置的环境，或是以环保的观点考虑，以节省能源的潮流进行预测的话，阴极射线管在空间利用以及能源消耗上仍存在很多问题，其对于轻、薄、短、小以及低消耗功率的需求无法有效提供解决之道。因此，具有高画质、空间利用效率高、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)已逐渐成为市场主流。而一般薄膜晶体管液晶显示器主要是在薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光片阵列基板之间灌入液晶以形成晶格，再于薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光片阵列基板外贴附下偏光片与上偏光片形成液晶显示面板(LCD panel)。由于薄膜晶体管液晶显示器本身并不发光，故需要背光模块为液晶显示面板提供一白色光源，以达到显示的效果。故薄膜晶体管阵列基板的优劣通常直接影响到薄膜晶体管液晶显示器的显示质量。

首先，请同时请参照图1与图2，其为普通液晶显示器中薄膜晶体管阵列基板结构示意图与剖面示意图。薄膜晶体管阵列通常架构于一个基板100上，而基板100上配置有多条扫描配线102a、102b、102c与多条数据配线104a、104b、104c、104d、104e。相邻的二扫描配线如扫描配线102a、102b以及数据配线104a、104b之间构成一个像素区域，而每一像素区域上方分别配置有一个薄膜晶体管106以及一个对应于薄膜晶体管106的像素电极108。以扫描配线102a所控制的多个薄膜晶体管106来作说明，每一个薄膜晶体管106都具有一栅极106a、一源极106b以及一漏极106c。其中，薄膜晶体管106的栅极106a会与扫描配线102a电性连接，薄膜晶体管106的源极106b会与数据配线104a电性连接，而薄膜晶体管106的漏极106c会与对应的像素电极108电性连接。此外，像素电极108除了覆盖在上述像素区域以外，像素电极108更会覆盖在相邻的扫描配线102b上，以在扫描配线102b上形成一储存电容C_st。同样的电容效应C_st也会发生在其它扫描配线如扫描配线102c上方，但扫描配线102a上方并不会有储存电容C_st的存在。

扫描配线102b上方除了有储存电容C_st以外，扫描配线102b所对应的各个像素电极108边缘部分会与扫描配线102b耦合而形成一寄生电容C_gs，像素电极108的边缘部分会与数据配线104b耦合而形成一寄生电容C_sig1，而像素电极108边缘部分会与数据配线104a耦合而形成一寄生电容C_sig2。因此，扫描配线102c上方的电容总和C_total相当于液晶电容C_LC与寄生电容C_gs、寄生电容C_sig1及寄生电容C_sig2并连后再与储存电容C_st串连。