[发明专利]薄膜半导体器件与液晶显示单元及其制作方法

权利要求书

1.薄膜半导体器件，包括：

多个信号互连和与所述信号互连交叉的多个栅极互连，以及置于所述信号和栅极互连交叉点处的像素，所述信号和栅极互连以及所述像素都设置在绝缘衬底上；

其中每个所述像素包含至少一个像素电极、一个驱动所述像素电极的薄膜晶体管、以及为所述薄膜晶体管遮挡外部光的光屏蔽带；以及

所述薄膜晶体管的源极与所述信号互连之一相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极相连，而所述薄膜晶体管的栅极与所述栅极互连之一相连；

其特征在于：

所述光屏蔽带由第一导电层制成，且所述光屏蔽带至少有一部分被用作所述栅极互连；

所述栅极是由不同于所述第一导电层的第二导电层制成的；以及

用作所述栅极互连的所述第一导电层与每个像素区中构成所述栅极的所述第二导电层电连接。

2.权利要求1的薄膜半导体器件，其特征在于，构成所述栅极的所述第二导电层在每个像素区中都是彼此隔开的，所述第二导电层的每个隔开的部分都与每个像素区中用作所述栅极互连的所述第一导电层电连接。

3.权利要求1的薄膜半导体器件，其特征在于，构成所述栅极互连的所述第一导电层在每个像素区中都是彼此隔开的，所述第一导电层的每个隔开的部分都与每个像素区中构成所述栅极的所述第二导电层电连接。

4.权利要求1的薄膜半导体器件，其特征在于，所述光屏蔽带是由从上面和下面遮挡所述薄膜晶体管的两个导电层组成的，所述两个导电层之一用作所述栅极互连的所述第一导电层。

5.权利要求1的薄膜半导体器件，其特征在于，所述光屏蔽带是由从上面或下面遮挡所述薄膜晶体管的单个导电层组成的，所述单个导电层用作所述栅极互连的所述第一导电层。

6.权利要求1的薄膜半导体器件，其特征在于，所述每个像素包含辅助电容，它是由电介质夹于一对上、下电极之间而成的，以保存由所述信号互连经所述薄膜晶体管写入所述像素电极的信号电荷；

所述这对上、下电极之一是由构成所述栅极的同一所述第二导电层制成的。

7.液晶显示单元，包括：

一对彼此相连的衬底，其间保持规定的间隙，液晶保持于所述间隙中；

其中一个衬底具有多个信号互连和与所述信号互连交叉的多个栅极互连以及置于所述信号与栅极互连的交叉点处的像素，而另一个衬底具有一个对着各像素的电极；

每个所述像素包含至少一个像素电极、一个驱动所述像素电极的薄膜晶体管、以及为所述薄膜晶体管遮挡外部光的光屏蔽带；以及

所述薄膜晶体管的源极与所述信号互连之一相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极相连，而所述薄膜晶体管的栅极与所述栅极互连之一相连；

其特征在于：

所述光屏蔽带由第一导电层制成，且所述光屏蔽带至少有一部分被用作所述栅极互连；

所述栅极是由不同于所述第一导电层的第二导电层制成的；

用作所述栅极互连的所述第一导电层与每个像素区中构成所述栅极的所述第二导电层电连接。

8.权利要求7的液晶显示单元，其特征在于，构成所述栅极的所述第二导电层在每个像素区中都是彼此隔开的，所述第二导电层的每个隔开的部分都与每个像素区中用作所述栅极互连的所述第一导电层电连接。

9.权利要求7的液晶显示单元，其特征在于，构成所述栅极互连的所述第一导电层在每个像素区中都是彼此隔开的，所述第一导电层的每个隔开的部分都与每个像素区中构成所述栅极的所述第二导电层电连接。

10.权利要求7的液晶显示单元，其特征在于，所述光屏蔽带是由从上面和下面遮挡所述薄膜晶体管的两个导电层组成的，所述两个导电层之一用作所述栅极互连的所述第一导电层。

11.权利要求7的液晶显示单元，其特征在于，所述光屏蔽带是由从上面或下面遮挡所述薄膜晶体管的单个导电层组成的，所述单个导电层用作所述栅极互连的所述第一导电层。

12.权利要求7的液晶显示单元，其特征在于，所述每个像素包含辅助电容，它是由电介质夹于一对上、下电极之间而成的，以保存由所述信号互连经所述薄膜晶体管写入所述像素电极的信号电荷；以及

所述这对上、下电极之一是由构成所述栅极的同一所述第二导电层制成的。