[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法，特别是涉及用去引线缩小封装外形减少安装面积，能够大幅度降低成本的半导体器件的制造方法。

背景技术

在半导体器件的制造中，进行以下的工艺，判断形成在晶片上的一个个半导体芯片是否良好，把从晶片切割分离了的半导体芯片固定在引线框上，通过由模具和树脂注入进行的传递模塑把固定在引线框上的半导体芯片密封，把被密封了的半导体芯片分离为一个个半导体器件。该引线框使用矩形或者环形的框，在每一种情况下都是在一次密封工艺中同时密封多个半导体器件。

图13示出形成在晶片上的半导体芯片的检查工艺。在该工艺中，判断形成在晶片上的一个个半导体芯片1的优良与不良。首先，进行晶片的位置确认，探针的针14被送出芯片尺寸的距离，接触各个半导体芯片1的电极焊盘。而且，在该状态下，预先从输入电极焊盘输入被程序化了的输入信号波形，从输出端子输出一定的信号波形，测试器读取该信号进行优良、不良的判断。这里，被判断为不良的半导体芯片1被打印标记，在把半导体芯片1固定在引线框上的时候，确认用照相机识别该打印标记去除不良的半导体芯片1。

图14示出传递模塑工艺。在传递模塑工艺中，把通过芯片粘合，线粘合固定了半导体芯片1的引线框2设置在由上下模具3A、3B形成的空腔4的内部，通过在空腔4内注入环氧树脂，进行半导体芯片1的密封。在这样的传递模塑工艺以后，把引线框2按照各个半导体芯片1切断，制造单独的半导体器件(例如特开平05-129473号)。

这时，如图15所示，在模具3B的表面设置多个空腔4a～4f，用于输入树脂的树脂源5，横浇口6以及用于从横浇口6向各个空腔4a～4f流入树脂的浇口7。这些全部是设置在模具3B表面上的槽。如果是矩形的引线框，则在一个引线框上搭载10个半导体芯片1，对应于一个引线框，设置10个空腔4和10个浇口7以及1个横浇口6。而且，在模具3表面上例如设置与20个引线框相当的空腔4。

在传递模塑以后从引线框切断各个半导体芯片1，分离为一个个半导体器件。该一个个半导体器件进而在测定工艺中按特性差(hfe级别差)分类，捆扎后出厂。

图16示出通过上述的传递模塑制造的半导体器件。形成了晶体管等元件的半导体芯片1在引线框的岛8上由焊锡等焊料9固定安装，用线11连接半导体芯片1的电极焊盘与引线10。半导体芯片1的周边部分由与上述空腔形状一致的树脂12覆盖，在树脂12的外部导出引线端子10的前端部分。

在以往的通过传递模塑制造单独的半导体器件的方法中，由于在传递模塑后分离为各个半导体器件而比较凌乱，因此需要使各个半导体器件沿一定的方向聚齐个别地进行特性的测定，具有要求过多的工艺并且浪费时间的缺点。

发明内容

本发明是鉴于上述的问题而产生的，其目的在于提供一各可克服上述缺点的半导体器件的制造方法，本发明的特征在于在把搭载了多个半导体芯片的陶瓷或者玻璃环氧等构成的绝缘基板粘贴在粘合片上的状态下，切割以后不分离为单个的半导体器件，用识别用照相机把一个半导体器件的基板电极进行位置识别，对其位置识别了的半导体器件进行特性(hfe级别差)的判断，同时对位于其周围的的多个半导体器件不进行位置识别而进行特性(hfe级别差)的判断。

另外本发明中的特征在于，由于使用由陶瓷或玻璃环氧等构成的绝缘基板，因此伸缩率比以往的硅基板增大，极板间的间隔将产生微小的偏移，因此通过遮挡把识别用照相机的视野取为一个半导体器件的大小，能够更进一步提高位置识别的精度。另外，不仅如此，通过减小位置识别的面积能够实现缩短位置识别时间。

进而本发明的特征在于，固定进行半导体器件测定时使用的识别用照相机和探针的针的位置，使形成了半导体器件的基板移动。由此，由于提高位置识别的精度，还将提高作业速度，因此能够极其容易而且大量地进行半导体器件的特性测定。而且，通过识别一个半导体芯片的电极焊盘，从图形处理装置取入来自目标位置的偏移，加入其偏移部分，使下一个半导体芯片移动，由此能够经常边修正位置偏移边进行位置识别。

附图说明

图1是用于说明本发明的制造方法的透视图。

图2是用于说明本发明的制造方法的(A)平面图(B)剖面图。

图3是用于说明本发明的制造方法的平面图。

图4是用于说明本发明的制造方法的剖面图。

图5是用于说明本发明的制造方法的(A)剖面图(B)剖面图。

图6是用于说明本发明的制造方法的(A)剖面图(B)平面图。