[发明专利]浅沟槽隔离的形成方法有效
| 申请号： | 01125077.1 | 申请日： | 2001-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1400650A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 余旭昇;李俊鸿;梁明中 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 形成 方法 | ||
1.一种形成一具有弧状表面的开口的方法，其特征在于，至少包含下列步骤：
提供一半导体底材，所述半导体底材上具有一垫层于所述半导体底材上，与一介电层于所述垫层上；
将一低聚合物气体当成一蚀刻剂进行一残余蚀刻制程以蚀刻所述介电层，且形成一开口于所述介电层中，并残余一所述介电层的凸状残留物于所述开口中的所述垫层上；与
将所述凸状残留物当成一蚀刻面以及一中聚合物气体当成一蚀刻剂进行一顶部圆化制程以蚀刻所述凸状残留物与所述垫层以及所述半导体底材，且形成具有一弧状表面的所述开口于所述半导体底材上。
2.如权利要求1所述的形成一具有弧状表面的开口的方法，其特征在于，所述的低聚合物气体至少包含一CF4/HBr。
3.如权利要求1所述的形成一具有弧状表面的开口的方法，其特征在于，所述的残余蚀刻制程至少包含一约为90至110立方厘米/秒(sccm)的总流量。
4.如权利要求1所述的形成一具有弧状表面的开口的方法，其特征在于，所述的残余蚀刻制程至少包含一约为5至15毫托的压力。
5.如权利要求1所述的形成一具有弧状表面的开口的方法，其特征在于，所述的中聚合物气体至少包含一CHF3/CF4。
6.如权利要求1所述的形成一具有弧状表面的开口的方法，其特征在于，所述的中聚合物气体至少包含一CH2F2/CF4。
7.如权利要求1所述的形成一具有弧状表面的开口的方法，其特征在于，所述的顶部圆化制程至少包含一约为100至110立方厘米/秒(sccm)的总流量。
8.如权利要求1所述的形成一具有弧状表面的开口的方法，其特征在于，所述的顶部圆化制程至少包含一约为20至50毫托的压力。
9.一种形成一浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述形成方法至少包含下列步骤：
提供一半导体底材，其上具有一氧化物层；
形成一氮化物层于所述氧化物层上；
将一CF4/HBr的聚合物气体当成一蚀刻剂进行一残余蚀刻制程以蚀刻所述氮化物层，且形成一开口于所述氮化物层中，并残余一所述氮化物层的残留物于所述开口中的所述氧化物层上；
将所述残留物当成一蚀刻面进行一具有一蚀刻比约大于1的顶部圆化制程以蚀刻所述残留物与所述氧化物层以及所述半导体底材，且形成一具有两弧状侧壁与一弧状底部的凹槽于所述半导体底材上；
蚀刻所述凹槽以形成一具有两圆角的浅沟槽于所述半导体底材中；与
形成所述浅沟槽隔离。
10.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，所述的残余蚀刻制程的蚀刻比约大于2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01125077.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有坐躺功能的办公椅
- 下一篇：图象处理方法和设备,图象处理系统以及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
