[发明专利]形成浅沟渠隔离的方法

权利要求书

1.一种形成浅沟渠隔离的方法，其特征在于，至少包含下列步骤：

提供一底材，所述底材具有其上的一第一介电层于及于所述第一介电层上的一第一导体层；

形成一覆盖所述第一导体层的第二介电层；

形成一覆盖所述第二介电层的第二导体层；

形成一沟渠进入所述第二导体层、所述第二介电层、所述第一导体层、所述第一介电层与所述底材；

共形生成一覆盖所述沟渠的线性介电层；

以一介电材料填满所述沟渠以形成一沟渠隔离；

移除所述第二导体层；

形成一覆盖所述第二介电层与所述沟渠隔离的第三介电层；

非等向性蚀刻所述第三介电层与所述第二介电层以曝露出所述第一导体层；

蚀刻所述第一导体层以曝露出所述第一介电层；

蚀刻所述第一介电层以曝露出所述底材；及

氧化所述底材。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介电层至少包含一二氧化硅层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导体层至少包含一硅层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一导体层至少包含一多晶硅层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二导体层至少包含一硅层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电材料至少包含二氧化硅。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二导体层至少包含一多晶硅层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三介电层至少包含一二氧化硅层。

9.一种形成浅沟渠隔离的方法，其特征在于，至少包含下列步骤：

提供一底材，所述底材具有一其上的垫氧化层于及一于所述垫氧化层上的第一导体层；

形成覆盖所述第一导体层的一第一介电层；

形成覆盖所述第一介电层的一第二导体层；

形成一沟渠进入所述第二导体层、所述第一介电层、所述第一导体层、所述垫氧化层与所述底材；

共形生成一覆盖所述沟渠的线性氧化层；

以一介电材料填满所述沟渠以形成一沟渠隔离；

移除所述第二导体层；

形成一覆盖所述第一介电层与所述沟渠隔离的第二介电层；

非等向性蚀刻所述第二介电层与所述第一介电层以曝露出所述第一导体层；

蚀刻所述第一导体层以曝露出所述垫氧化层；

蚀刻所述垫氧化层以曝露出所述底材；及

氧化所述底材。

10.一种形成浅沟渠隔离的方法，其特征在于，至少包含下列步骤：

提供一底材，所述底材具有其上的一垫氧化层于及一于所述垫氧化层上的导体层；

形成一覆盖所述导体层的第一介电层；

形成一覆盖所述第一介电层的多晶硅层；

形成一沟渠进入所述多晶硅层、所述第一介电层、所述导体层、所述垫氧化层与所述底材；

共形生成一覆盖所述沟渠的线性氧化层；

以一介电材料填满所述沟渠以形成一沟渠隔离；

移除所述多晶硅层；

形成一覆盖所述第一介电层与所述沟渠隔离的第二介电层；

非等向性蚀刻所述第二介电层与所述第一介电层以曝露出所述导体层；

蚀刻所述导体层以曝露出所述垫氧化层；

蚀刻所述垫氧化层以曝露出所述底材；及

氧化所述底材。