[发明专利]具有电容元件的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有电容元件的半导体器件，其特征在于具备：

下部电极层(9A)；

形成在上述下部电极层(9A)上的电容元件用电介质层(10)；

形成在上述下部电极层(9A)以及上述电容元件用电介质层(10)的上面，而且具有到达上述电容元件用电介质层(10)的孔(11a)的绝缘层(11)；

充填上述孔(11a)的内部，而且把上述电容元件用电介质层(10)夹在中间，与上述下部电极层(9A)相对的上部电极层(12A，13A)，

上述电容元件用电介质层(10)在上述孔(11a)的正下方区以及上述孔的周壁的外周区域与上述下部电极层(9A)的上表面接触。

2.如果权利要求1中所述的具有电容元件的半导体器件，其特征在于：

上述电容元件用电介质层(10)与上述下部电极层(9A)的侧面接触。

3.如权利要求1中所述的具有电容元件的半导体器件，其特征在于：

上述电容元件用电介质层(10)具有实质上与上述下部电极层(9A)的侧壁连续的表面。

4.一种具有电容元件的半导体器件，其特征在于具备：

第1下部电极部分(9A)；

形成在上述第1下部电极部分(9A)上，而且具有到达上述第1下部电极部分(9A)的孔(11a)的绝缘层(11)；

具有沿着上述孔(11a)的周面形成的筒形部分，而且与上述第1下部电极部分(9A)电连接的第2下部电极部分(31)；

形成在上述第2下部电极部分(31)上的电容元件用电介质层(10)；

充填上述孔(11a)的内部，而且把上述电容元件用电介质层(10)夹在中间与上述第2下部电极部分(31)相对的上部电极层(12A，13A)。

5.如权利要求4中所述的具有电容元件的半导体器件，其特征在于：

上述第2下部电极部分(31)不位于上述绝缘层(11)的上表面上。

6.如权利要求4中所述的具有电容元件的半导体器件，其特征在于：

上述第2下部电极部分(31)具有在上述绝缘层(11)的上述表面上延伸的部分。

7.如权利要求4中所述的具有电容元件的半导体器件，其特征在于：

上述孔(11a)形成为具有比上述第1下部电极部分(9a)的上表面宽的开口直径。

8.如权利要求4中所述的具有电容元件的半导体器件，其特征在于：

形成多个上述孔(11a)，多个上述孔(11a)的每一个到达单一的上述第1下部电极部分(9A)，上述第2下部电极部分(31)具有沿着多个上述孔(11a)的各周面的部分，而且上述上部电极层(12A，13A)形成为充填多个上述孔(11a)的每一个。

9.一种具有电容元件的半导体器件的制造方法，其特征在于具备：

在下部电极层(9A)上形成电容元件用电介质层(10)的工序；

形成绝缘层(11)使得覆盖上述下部电极层(9A)以及上述电容元件用电介质层(10)的上面的工序；

在上述绝缘层(11)上形成到达上述电容元件用电介质层(10)的孔(11a)的工序；

形成上部电极层(12A，13A)使得充填上述孔(11a)的内部的工序。

10.如权利要求9中所述的具有电容元件的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在上述下部电极层(9A)上形成电容元件用电介质层(10)的工序具有在把上述下部电极层(9A)图形化了以后形成上述电容元件用电介质层(10)，使得覆盖上述下部电极层(9A)的上表面以及侧面的工序。

11.如权利要求9中所述的具有电容元件的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在上述下部电极层(9A)上形成电容元件用电介质层(10)的工序具有在成为上述下部电极层(9A)的导电层上形成了上述电容元件用电介质层(10)以后，把上述导电层(9A)和上述电容元件用电介质层(10)图形化的工序。