[发明专利]陶瓷叠层器件无效

专利信息
申请号: 01129567.8 申请日: 2001-06-27
公开(公告)号: CN1336787A 公开(公告)日: 2002-02-20
发明(设计)人: 山田彻;瓜生一英;松村勉;石崎俊雄 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H05K1/00 分类号: H05K1/00;H05K1/18;H05K3/46;H01L25/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 器件
【说明书】:

本发明主要是涉及用于移动电话机等高频无线电仪器的陶瓷叠层器件,特别是涉及陶瓷叠层RF器件。

近年,陶瓷叠层器件,特别是在高频波段(无线电频率波段)工作的陶瓷叠层RF器件对移动电话机等高频无线仪器的小型化做出的贡献非常引人注目。下面参照附图说明已有的陶瓷叠层RF器件。

图12是已有的陶瓷叠层RF器件的剖面图。图12中,101是低温烧结陶瓷体。102是由多层配线导体构成的RF电路。103是层间通路孔。105是芯片电阻、芯片电容、芯片电感体、带包装的半导体等芯片部件。105通过金属帽107实现电路的密封。

下面说明上述结构的已有的陶瓷叠层RF器件的工作原理。

首先,多层配线导体102与多个芯片部件105之间实现电气连接,同时在低温烧结陶瓷体101内形成内层电容和内层电感。这些部件整体形成RF电路,具有例如RF叠层开关等陶瓷叠层RF器件的功能。

另外,图13是表示已有的陶瓷叠层RF器件的结构方框图。这些方框分别代表叠层滤波器(图13(a)),表面弹性波(SAW)滤波器(图13(b)),RF开关(图13(c))等不同功能的各个独立的器件。

但是在上述结构中,因为没有保护被装配芯片部件的封装树脂或者封装空腔的密封金属盖(金属帽107),所以不能安装需要封闭的半导体裸芯片和SAW滤波器。这里,已有实施例中的金属盖107仅作为电磁屏蔽,而没有封装功能,所以不能安装这些部件。

另外,在上述结构中,使用了单一陶瓷体。因此,为了通过内装高容量的电容器而形成多功能器件,象特开平4-79601号(相对应的美国专利:美国专利5406235号)所示的那样,提出了将具有不同相对介电常数的陶瓷等介电体形成一体的方法。例如,提出了用不同成分的陶瓷体烧结成一体的方法。但是,成分不同的陶瓷体的收缩率各不相同,形成一体烧结非常困难。还有,对于不同相对介电常数的陶瓷体形成的一体化陶瓷,在不同的相对介电常数的陶瓷体之间,有时会生成寄生电容并影响器件性能。

本发明的目的是提供可以收容半导体裸芯片和SAW滤波器的陶瓷叠层器件。另外一个目的是为了使器件小型化、多功能化、低矮化、易制造,并提高其可靠性。同时通过最优化电路设计来提高上述陶瓷叠层器件在组合多项功能后的综合性能。

本发明的陶瓷叠层器件的特征为由具有通过层间通路孔实现电气连接的多层配线图形的第1陶瓷体、具有通过层间通路孔实现电气连接的多层配线图形的第2陶瓷体、以及处于所述第1和第2陶瓷体之间的热硬化性树脂片所组成,所述热硬化性树脂片上具有填入了导电性树脂的穿通孔以使所述第1陶瓷体的某个所述多层配线图形和所述第2陶瓷体的某个所述多层配线图形互相实现电气连接。

所述陶瓷体的内部至少有一层配线图形,各配线图形通过层间通路孔实现电气连接。这里,作为陶瓷体,例如,可以使用相对介电常数大于10的高介电常数系列的介电体,也可以使用相对介电常数小于10的低介电体。作为高介电常数系列的介电体,可以使用Bi-Ca-Nb-O系(相对介电常数大约58)、Ba-Ti-O系、Zr(Mg,Zn,Nb)Ti-Mn-O系等介电体。另外,作为低介电常数系列的介电体,可以使用铝硼硅酸玻璃系列(相对介电常数7)、镁橄榄石系列等陶瓷材料。另外,作为热硬化性树脂,可以使用例如环氧树脂,苯酚树脂,氰酸盐树脂等。

另外,本发明的陶瓷叠层器件是上述陶瓷叠层器件,其特征是上述各陶瓷体是叠层一体烧结的低温烧结陶瓷体。

本发明的陶瓷叠层器件是上述陶瓷叠层器件,其特征是所述第1、第2陶瓷体和所述热硬化性树脂片通过热硬化形成一体。

本发明的陶瓷叠层器件是上述陶瓷叠层器件,其特征是所述第1、第2陶瓷体的相对介电常数互不相同。

因为在相对介电常数互不相同的陶瓷体之间夹持有比陶瓷的介电常数低的热硬化性树脂,能够减少相对介电常数不同的陶瓷之间发生的寄生电容,提高器件性能。另外,因为在陶瓷体和热硬化性树脂片的界面形成图形,可以调整在各陶瓷体内部构成的多层配线图形等的电路间的阻抗的不匹配,避免发生损失。而且,因为热硬化性树脂具有非常低的相对介电常数,在它和陶瓷的界面形成的各图形之间的相互干涉很少,可以得到很好的器件性能。

另外,本发明的陶瓷叠层器件是上述陶瓷叠层器件,其特征是增加了具有通过层间通路孔实现电气连接的多层配线图形的第3陶瓷体,以及夹持在所述第2和第3陶瓷体之间的热硬化性树脂片;所述第1陶瓷体的相对介电常数小于10,所述第2陶瓷体的相对介电常数大于10,所述第3陶瓷体的相对介电常数小于10。

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