[发明专利]双重金属镶嵌结构的制造方法

权利要求书

1.一种双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该方法包括：

提供一半导体结构；

在该半导体结构上形成一罩幕层；

在该半导体结构上形成一双重金属镶嵌开口；

在该半导体结构上形成一阻障层且覆盖该双重金属镶嵌开口；

在该半导体结构上形成一晶种层且覆盖该阻障层上；

在该半导体结构上形成一保护层，以覆盖填满该双重金属镶嵌开口，并且覆盖在该罩幕层上方的该晶种层的表面上；

利用回蚀并以该晶种层作为蚀刻终止层，去除部分该保护层，以裸露出该罩幕层上方的该晶种层；

去除该双重金属镶嵌开口以外的部分该晶种层；

完全去除该保护层；

利用电镀法在该晶种层上形成一金属层，以填满该双重金属镶嵌开口，形成该双重金属镶嵌结构。

2.根据权利要求1所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该保护层的材质包括硼磷硅玻璃。

3.根据权利要求1所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：完全去除该保护层的方法包括等向性干式蚀刻法。

4.根据权利要求3所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：完全去除该保护层的方法包括利用氟化氢气体作为反应气体。

5.根据权利要求1所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：形成该晶种层的方法包括物理气相沉积法与化学气相沉积法其中之一。

6.根据权利要求1所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：去除该双重金属镶嵌开口以外的部分该晶种层的方法包括一湿式蚀刻法。

7根据权利要求6所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该湿式蚀刻法所使用的溶液包括酸性溶液。

8.一种双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该方法包括：

在一基底上形成一低介电常数介电层，并在该低介电常数介电层表面上形成一罩幕层；

在该低介电常数介电层与该罩幕层之中形成一双重金属镶嵌开口；

在该基底上形成一阻障层且覆盖该双重金属镶嵌开口；

在该基底上形成一铜晶种层且覆盖该阻障层上；

在该基底上形成一保护层且填满该双重金属镶嵌开口；

利用回蚀并以该铜晶种层作为蚀刻终止层，去除部分该保护层；

去除该双重金属镶嵌开口以外的部分该铜晶种层；

利用一等向性干式蚀刻法完全去除该保护层；

利用电镀法在该铜晶种层上形成金属铜并填满该双重金属镶嵌开口，以形成该双重金属镶嵌结构。

9.根据权利要求8所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该保护层的材质包括硼磷硅玻璃。

10.根据权利要求8所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该等向性干式蚀刻法所使用的反应气体包括氟化氢气体。

11.根据权利要求8所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：形成该铜晶种层的方法包括物理气相沉积法与化学气相沉积法其中之一。

12.根据权利要求8所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：去除该双重金属镶嵌开口以外的部分该铜晶种层的方法包括一湿式蚀刻法。

13.根据权利要求12所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该湿式蚀刻法所使用的溶液包括酸性溶液。