[发明专利]具有精确定位致动器的磁头常平架组件的特性测试方法

权利要求书

1.一种测试磁头常平架组件特性的方法，该组件包括具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使所述磁头浮动块相对所述支架移动以便精确定位所述至少一个薄膜磁头元件的致动器，所述方法包括通过驱动所述致动器移动并对所述至少一个薄膜磁头元件进行磁道分布测量而获得所述致动器位移特性的步骤。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述对致动器的驱动包括施加DC驱动信号到所述致动器。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述对致动器的驱动包括施加AC驱动信号到所述致动器。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述对致动器的驱动仅在所述至少一个薄膜磁头元件的读出操作过程中才进行。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述对致动器的驱动仅在所述至少一个薄膜磁头元件的写操作过程中才进行。

6.一种测试磁头常平架组件特性的方法，该组件包括具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使所述磁头浮动块相对所述支架移动以便精确定位所述至少一个薄膜磁头元件的致动器，所述方法包括以下步骤：

所述致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息；

所述致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的参考磁道平均振幅分布；

通过驱动所述致动器移动而在每个位置上测量磁道平均振幅；以及

从所述参考磁道平均振幅分布和所述被测的磁道平均振幅获得所述致动器的位移特性。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述对致动器的驱动包括施加DC驱动信号到所述致动器。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述DC驱动信号是具有可变电压的DC电压信号。

9.如权利要求7所述的方法，其中，所述DC驱动信号是具有能驱动所述致动器发生最大位移的电压的DC电压信号。

10.如权利要求6所述的方法，其中，所述对致动器的驱动仅在所述至少一个薄膜磁头元件的读出操作过程中才进行。

11.如权利要求6所述的方法，其中，所述写步骤包括在磁介质上写一个磁道的步骤。

12.如权利要求6所述的方法，其中，所述写步骤包括在磁介质上写两个磁道的步骤。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述被写的两个磁道的间距基本上对应所述致动器从一侧到另一侧的最大位移。

14.一种测试磁头常平架组件特性的方法，该组件包括具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使所述磁头浮动块相对所述支架移动以便精确定位所述至少一个薄膜磁头元件的致动器，所述方法包括以下步骤：

所述致动器不发生位移，在磁介质上写至少一个磁道信息；

所述致动器不发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的参考磁道平均振幅分布；

所述致动器发生位移，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件执行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的磁道平均振幅特性；以及

从所述参考磁道平均振幅分布和所述磁道平均振幅特性获得所述致动器的位移特性。

15.如权利要求14所述的方法，其中，致动器发生位移时的所述执行步骤包括：当所述致动器被驱动到其一侧最大位移位置时，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件进行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的第一磁道平均振幅特性；当所述致动器被驱动到其另一侧最大位移位置时，利用被写的至少一个磁道信息对磁头常平架组件进行磁道分布测量，从而获得相对于偏离磁道距离的第二磁道平均振幅特性；以及，其中所述获得步骤包括从所述参考磁道平均振幅分布与所述第一和第二磁道平均振幅特性获得所述致动器的位移特性。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述对致动器的驱动包括施加DC驱动信号到所述致动器。

17.如权利要求16所述的方法，其中，所述DC驱动信号是具有能驱动所述致动器发生最大位移的电压的DC电压信号。