[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列工序：

用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面，形成一片一片的半导体芯片的工序；

把分成片的各半导体芯片粘接到用作键合剂的粘合剂膜上，并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序；以及

用化学蚀刻除去上述粘合剂膜中的从上述各半导体芯片间的间隙处露出的粘合剂膜的工序，

上述粘合剂膜是热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性的混合物、或向它们之中加入了玻璃粉、聚合物、银填料的隔片的物质，

使用有机溶剂、酸性溶液和碱性溶液中的任一种进行上述化学蚀刻。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列工序：

用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面，形成一片一片的半导体芯片的工序；

把分成片的各半导体芯片粘接到含有经UV照射发生解聚反应的成分并用作键合剂的粘合剂膜上，并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序；

从晶片的上面照射UV，使从上述各半导体芯片的间隙处露出的粘合剂膜发生解聚反应的工序；以及

除去上述粘合剂膜中的上述各半导体芯片间隙处的发生了解聚反应的区域的粘合剂膜的工序，

上述粘合剂膜是热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性的混合物、或向它们之中加入了玻璃粉、聚合物、银填料的隔片的物质，

使用有机溶剂、酸性溶液和碱性溶液中的任一种，进行上述除去发生上述解聚反应的区域的粘合剂膜的工序。

3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列工序：

用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面，形成一片一片的半导体芯片的工序；

把分成片的各半导体芯片粘接到含有经照射UV发生交联或聚合反应的成分并用作键合剂的粘合剂膜上，并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序；

从晶片的上面照射激光，使上述各半导体芯片间的间隙处露出的粘合剂膜发生交联或聚合反应的工序；以及

从上述切片带上剥离、捡取各半导体芯片的工序，

上述粘合剂膜是热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性的混合物、或向它们之中加入了玻璃粉、聚合物、银填料的隔片的物质，

在捡取上述各半导体芯片时，上述粘合剂膜的与上述半导体芯片相粘接的部分在与上述各半导体芯片相粘接的状态下被捡取，上述粘合剂膜的发生了上述交联或聚合反应的区域残留在切片带上。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列工序：

用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面，形成一片一片的半导体芯片的工序；

把分成片的各半导体芯片粘接到用作键合剂的粘合剂膜上，并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序；以及

选择性照射激光并除去上述粘合剂膜中的从上述各半导体芯片间的间隙处露出的粘合剂膜的工序，

上述粘合剂膜是热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性的混合物、或向它们之中加入了玻璃粉、聚合物、银填料的隔片的物质。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列工序：

用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面，形成一片一片的半导体芯片的工序；

把分成片的各半导体芯片粘接到用作键合剂的粘合剂膜上，并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序；以及

用锋利的刀具切断上述粘合剂膜的从上述各半导体芯片间的间隙处露出的粘合剂膜的工序，

上述粘合剂膜是热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性的混合物、或向它们之中加入了玻璃粉、聚合物、银填料的隔片的物质。