[发明专利]半导体装置的制造方法无效
申请号: | 01133922.5 | 申请日: | 2001-08-20 |
公开(公告)号: | CN1348208A | 公开(公告)日: | 2002-05-08 |
发明(设计)人: | 田中一安 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/50;H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于包括下列工序:
用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面,形成一片一片的半导体芯片的工序;
把分成片的各半导体芯片粘接到用作键合剂的粘合剂膜上,并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序;以及
用化学蚀刻除去上述粘合剂膜中的从上述各半导体芯片间的间隙处露出的粘合剂膜的工序,
上述粘合剂膜是热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性的混合物、或向它们之中加入了玻璃粉、聚合物、银填料的隔片的物质,
使用有机溶剂、酸性溶液和碱性溶液中的任一种进行上述化学蚀刻。
2.一种半导体装置的制造方法,其特征在于包括下列工序:
用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面,形成一片一片的半导体芯片的工序;
把分成片的各半导体芯片粘接到含有经UV照射发生解聚反应的成分并用作键合剂的粘合剂膜上,并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序;
从晶片的上面照射UV,使从上述各半导体芯片的间隙处露出的粘合剂膜发生解聚反应的工序;以及
除去上述粘合剂膜中的上述各半导体芯片间隙处的发生了解聚反应的区域的粘合剂膜的工序,
上述粘合剂膜是热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性的混合物、或向它们之中加入了玻璃粉、聚合物、银填料的隔片的物质,
使用有机溶剂、酸性溶液和碱性溶液中的任一种,进行上述除去发生上述解聚反应的区域的粘合剂膜的工序。
3.一种半导体装置的制造方法,其特征在于包括下列工序:
用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面,形成一片一片的半导体芯片的工序;
把分成片的各半导体芯片粘接到含有经照射UV发生交联或聚合反应的成分并用作键合剂的粘合剂膜上,并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序;
从晶片的上面照射激光,使上述各半导体芯片间的间隙处露出的粘合剂膜发生交联或聚合反应的工序;以及
从上述切片带上剥离、捡取各半导体芯片的工序,
上述粘合剂膜是热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性的混合物、或向它们之中加入了玻璃粉、聚合物、银填料的隔片的物质,
在捡取上述各半导体芯片时,上述粘合剂膜的与上述半导体芯片相粘接的部分在与上述各半导体芯片相粘接的状态下被捡取,上述粘合剂膜的发生了上述交联或聚合反应的区域残留在切片带上。
4.一种半导体装置的制造方法,其特征在于包括下列工序:
用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面,形成一片一片的半导体芯片的工序;
把分成片的各半导体芯片粘接到用作键合剂的粘合剂膜上,并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序;以及
选择性照射激光并除去上述粘合剂膜中的从上述各半导体芯片间的间隙处露出的粘合剂膜的工序,
上述粘合剂膜是热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性的混合物、或向它们之中加入了玻璃粉、聚合物、银填料的隔片的物质。
5.一种半导体装置的制造方法,其特征在于包括下列工序:
用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面,形成一片一片的半导体芯片的工序;
把分成片的各半导体芯片粘接到用作键合剂的粘合剂膜上,并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序;以及
用锋利的刀具切断上述粘合剂膜的从上述各半导体芯片间的间隙处露出的粘合剂膜的工序,
上述粘合剂膜是热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性的混合物、或向它们之中加入了玻璃粉、聚合物、银填料的隔片的物质。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01133922.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:与无源装置的有效通信
- 下一篇:用于连接袋子和类似装置的夹子
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造