[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法，特别涉及在通过预切片法减薄和单片化的半导体芯片上贴附膜状的模片键合剂的半导体芯片的制造工艺中适用的半导体装置的制造方法。

背景技术

为了使在金属框或有机衬底上加压安装半导体芯片(片状元件)的工序简化，采用在半导体芯片的内表面上贴附膜状的模片键合剂，即贴附粘合剂的半导体芯片。

现在，这种贴附粘合剂的半导体芯片用如图6(a)～(e)所示的工艺制造，即，首先，如图6(a)所示，在元件形成结束后的半导体晶片11的整个内表面上用层叠等粘接膜状的粘合剂(粘合剂膜)12。

然后，如图6(b)所示，去除粘合剂膜12的不与晶片11粘接的部分，之后把粘合剂膜的面贴附在安装了晶片环13的切片带14上。

之后，如图6(c)所示，用切片机15沿切片线16切割晶片11和粘合剂膜12。

然后，如图6(d)所示，用捡取针等从切片结束后的一片一片的晶片11中捡出各半导体芯片，做成图6(e)所示的贴附粘合剂的半导体芯片17。

然后，把贴附粘合剂的半导体芯片17的有粘合剂膜12的那一侧加压安装在金属框或有机衬底上。

近年来，为了安装在卡状的薄的封装中或为了通过把多个半导体芯片叠层安装而减小安装面积，希望使半导体芯片的厚度变薄。但是，如果对元件形成结束后的晶片的内表面进行研磨减薄，把减薄后的晶片切片分割成一个一个的半导体芯片，在工序之间的搬运时或切片时，会发生晶片开裂，内表面破碎。

可以尽量减少这样的因减薄半导体芯片造成的晶片开裂和内表面破碎的方式有预切片法(即DBG，在研磨前切片)。预切片法是在晶片的元件形成面一侧切割预定深度(沟)后，通过研磨晶片内表面进行同时分片和减薄的分割。

但是，在上述预切片法中，由于对晶片切片形成沟后再研磨内表面，在用预切片法分片粘合剂膜减薄的的半导体芯片制作上述的贴附粘合剂的半导体芯片时，用层叠等把粘合剂膜粘在分割后的半导体芯片上，之后必须只对粘合剂膜切片，使制造工艺复杂化。

作为省去上述的对粘合剂膜切片工序、可防止制造工艺复杂化的方法，提出了图7(a)、(b)所示的制造方法。如图7(a)所示，在金属框或有机衬底21上的要安装半导体芯片的位置上，预先贴附与半导体芯片尺寸相同的粘合剂膜22。

然后，如图7(b)所示，在上述粘合剂膜22上压上半导体芯片23，进行模片键合安装。

但是，在上述制造方法中，由于分别对粘合剂膜22和半导体芯片23加压，容易产生粘合剂膜22和半导体芯片23的位置错移。因此存在安装位置精度低的问题。因此，在要求粘合剂膜22以高的位置精度加压贴附在金属框或有机衬底21上时，必须引入新的膜贴附机之类。

上述的用于形成贴附粘合剂的半导体芯片的现有的半导体装置的制造方法存在着，若使用预切片法则使制造工艺复杂的问题。另外，若为了防止制造工艺复杂化，则又会出现粘合剂膜和半导体芯片易产生位置偏离、安装位置精度低、必需高精度的膜贴附机的问题。

本发明正是鉴于上述情况而提出的，其目的在于提供避免因粘合剂膜和半导体芯片的位置偏离导致的安装位置精度低，可实现制造工艺简化的半导体装置的制造方法。

发明内容

根据本发明第1方面的半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列工序：

用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面，形成一片一片的半导体芯片的工序；

把分成片的各半导体芯片粘接到用作键合剂的粘合剂膜上，并膜把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序；以及

用化学蚀刻除去上述粘合剂膜中的从上述各半导体芯片间的间隙处露出的粘合剂膜的工序，

上述粘合剂膜是热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性的混合物、或向它们之中加入了玻璃粉、聚合物、银填料的隔片的物质，

使用有机溶剂、酸性溶液和碱性溶液中的任一种进行上述化学蚀刻。

根据第2方面的半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列工序：

用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面，形成一片一片的半导体芯片的工序；

把分成片的各半导体芯片粘接到含有经UV照射发生解聚反应的成分并用作键合剂的粘合剂膜上，并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序；

从晶片的上面照射UV，使从上述各半导体芯片的间隙处露出的粘合剂膜发生解聚反应的工序；以及

除去上述粘合剂膜中的上述各半导体芯片间隙处的发生了解聚反应的区域的粘合剂膜的工序，