[发明专利]树脂封装模具无效
申请号: | 01136091.7 | 申请日: | 2001-10-08 |
公开(公告)号: | CN1348206A | 公开(公告)日: | 2002-05-08 |
发明(设计)人: | 峯哲一 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;B29C45/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈瑞丰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 树脂 封装 模具 | ||
技术领域
本发明涉及树脂封装模具,具体地说,涉及一种安装在引线框上的用于芯片状半导体器件的树脂封装模具。
背景技术
安装在引线框上的芯片状半导体器件具有它的电极座,这种芯片状半导体器件和与导线相接之引线框的引线通常被做成一个封装体,有一个树脂外壳,并由树脂封装模具将其封装于树脂中。另外,当前的半导体器件趋向于具有长形薄壁外壳的封装,数量越来越多的腿作为它的引线,且其间的间距非常窄。
对于这种半导体器件而言,树脂封装模具出现多种改型,比如关于喷注机的速度控制,再比如关于夹持树脂喷注结构和/或所形成的外壳,以防止被用作封装体之外部树脂壳中所生成的气泡、碎片或缝隙。
日本专利申请的未审公开特开平11-87378中公开了一种解决这些问题的半导体器件制作设备的实例。被用作这种半导体器件制作设备的树脂封装模具其下膜固定有一标尺,检查该标尺下端的位置是否在预定位置的上方抑或在其下方,再根据检查的结果,改变下模下降的速度,以及在从上模或下模之一脱模半导体器件期间减小加于半导体器件上的载荷,以解决树脂封装体中的缝隙或碎片问题。
另外,在脱模期间检查由负载单元加给的载荷,如果测得的量超过预定的量,则发出警告,如警铃,使设备停止,除去模型上的污物,以解决上面所说的在模铸期间因污物所致的问题。
采用上述半导体器件制作设备,使得在模具分离期间所发生的诸如树脂封装体中的缺陷、缝隙及破损等问题得以被解决,但无法避免在喷注树脂过程中于喷注器的销杆附近发生气泡。为将大的半导体芯片封入这种薄的树脂封装中,采用低黏度的树脂用于喷注,以便不致对接线或内部连接造成损伤。另外,要使树脂的喷注速度非常地快。
然而,喷注器销杆自腔体的内壁突出,这在从闸门注入树脂过程中成为树脂快速流动的障碍。具体地说,有如图6所示,当从闸门注入的熔融树脂流入腔体6时,熔融的树脂会与喷注销杆7相碰,靠近喷注销杆7的肩状部分形成一空间,而且这个空间变得处于在所述熔融树脂中被包围,引出残余气泡问题。
为了防止这种气泡的发生,如果喷注器的端表面与腔体内壁处于同一平面,就不会在气泡之后发生并残存气穴;然而,即使喷注销杆的长度被加工得正好,并正确地构成它们,每个喷注销杆的伸出也不同。例如,假定每个腔体有4个喷注销杆,如果在同一模具内有8个封装半导体器件的腔体,于是总共就有32个喷注销杆,这个销杆数量是很大的。要想使所有这些喷注销杆的端部以凹洼于模具底部的方式构成在同一平面内是很难的。
例如,即使各喷注销杆长度的精度被加工成在几微米之内,并装配它们,但由于组成模具的材料的平整度以及模具的结构精度方面存在加工误差,所有各喷注销杆在凹洼9和10的底部伸出的量在100μm或更大的范围内改变。即使同一腔体内的这个伸出量也可能有100μm之多。
发明内容
本发明的目的在于提供一种树脂封装模具,能够将半导体器件封装于树脂内,在各喷注销杆附近无任何气泡发生。
本发明的树脂封装模具包括:安装在引线框上的下模,它有一个其内放置半导体器件的凹洼,并形成闸门,通过此门注入树脂;上模,其中形成一个与所述下模之凹洼相对的凹洼,以构成一个容纳半导体器件的腔体;多个喷注销杆,它们分别从上模的凹洼和下模的凹洼的底部伸入到树脂封装主体内,并脱离所述树脂封装主体,所述树脂封装主体是通过从所述闸门将树脂注入腔体内形成的;纵向驱动机构,使所述上模与下模接触和分离;以及伸出量调节装置,用于在把树脂注入所述腔体时,调节从组成所述腔体之下模和上模的凹洼底部伸出的多个喷注销杆各端部的伸出量;其中所述多个喷注销杆的伸出量在0与60μm之间的范围。
附图说明
通过以下参照附图详细描述本发明,将使本发明的上述目的、特点、优点及其它变得愈加清晰,其中:
图1A和1B分别表示本发明工作实例之树脂封装模具打开的结构和闭合的结构的剖面图;
图2A和2B是用于描述在每个凹洼底部处各喷注销杆的伸出量与对应发生的气泡的示意图;
图3A和3B表示抽出图1的喷注销杆保持机构的剖面图;
图4A和4B是描述本发明另一工作实例树脂封装模具的平面图;
图5A和5B分别表示喷注销杆保持机构的平面图和沿其中AA线所取剖面图;用以描述本发明再一工作实例树脂封装模具;
图6是用于描述普通树脂封装模具中存在问题的示意图。
具体实施方式
以下参照附图详细描述本发明的几个工作实例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造