[发明专利]半导体芯片设计方法有效
申请号: | 01138536.7 | 申请日: | 2001-11-15 |
公开(公告)号: | CN1353454A | 公开(公告)日: | 2002-06-12 |
发明(设计)人: | 约翰·M·科恩;阿尔瓦·A·迪安;戴维·J·哈萨卫;戴维·E·拉基;托马斯·M·莱普西克;苏珊·K·利希滕斯泰格;斯科特·A·泰特劳尔特;塞巴斯蒂安·T·文特伦 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;H01L27/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临,王志森 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 设计 方法 | ||
1、一种用于进行半导体芯片设计的方法,其特征在于,包括以下步骤:
给一组电路赋予多个电压电平的第一电压电平;
将该组电路分割成多个仓室;
给仓室之一赋予多个电压电平的第二电压电平;和
给一个仓室内的电路赋予第二电压电平。
2、如权利要求1的方法,其特征在于,第二电压电平高于第一电压电平。
3、如权利要求1的方法,其特征在于,第二电压电平低于第一电压电平。
4、如权利要求2的方法,其特征在于,给仓室之一赋予多个电压电平的第二电压电平的步骤包括在该组电路中确定最坏松弛路径的步骤和分配具有在最坏松弛路径中的至少一个电路的仓室作为所述一个仓室的步骤。
5、如权利要求2的方法,其特征在于,给仓室之一赋予多个电压电平的第二电压电平的步骤包括分配具有预定数量的低转换电路的仓室作为所述一个仓室的步骤。
6、如权利要求3的方法,其特征在于,给仓室之一赋予多个电压电平的第二电压电平的步骤包括分配具有预定数量的高转换电路的仓室作为所述一个仓室的步骤。
7、如权利要求1的方法,其特征在于,给仓室之一赋予多个电压电平的第二电压电平的步骤包括分配随机仓室作为所述一个仓室的步骤。
8、如权利要求2的方法,其特征在于,给仓室之一赋予多个电压电平的第二电压电平的步骤包括确定很多延迟路径会聚的位置的步骤和分配具有该位置的仓室作为所述一个仓室的步骤。
9、如权利要求2的方法,其特征在于,给仓室之一赋予多个电压电平的第二电压电平的步骤包括以下步骤:确定多个关键路径;如果每个仓室中的电路被赋予第二电压,则确定具有在关键路径中的电路的每个仓室的延迟改进量;如果这个仓室中的电路被赋予第二电压电平,则确定有最大延迟改进的仓室为关键路径的至少一个仓室,和分配这个仓室作为所述一个仓室。
10、如权利要求1的方法,其特征在于,给仓室之一赋予多个电压电平的第二电压电平的步骤包括确定具有直接给锁存电路供电的预定量输入端的仓室和分配该仓室作为所述一个仓室的步骤。
11、如权利要求1的方法,其特征在于,还包括以下步骤:
重复以下步骤,直到满足预定标准为止:
给附加仓室赋予第二电压电平;
给附加仓室内的电路赋予第二电压电平;和
在被赋予第二电压电平的仓室和被赋予第一电压电平的仓室之间移动至少一个电路。
12、如权利要求11的方法,其特征在于在被赋予第二电压电平的仓室和被赋予第一电压电平的仓室之间移动至少一个电路的步骤包括从被赋予第二电压电平的仓室移动至少一个电路到被赋予第一电压电平的仓室的步骤。
13、如权利要求11的方法,其特征在于在被赋予第二电压电平的仓室和被赋予第一电压电平的仓室之间移动至少一个电路的步骤包括将至少一个电路从被赋予第二电压电平的仓室移动到被赋予第一电压电平的仓室的步骤。
14、如权利要求11的方法,其特征在于预定标准包括在性能限制基础上使功率最小化。
15、如权利要求11的方法,其特征在于预定标准包括在功率限制基础上使性能最大化。
16、如权利要求1的方法,其特征在于,给一个仓室内的电路赋予第二电压电平的步骤包括将电平移位器添加到该一个仓室内的一个电路的输入端的步骤,并且该输入端穿过将所述一个仓室与被赋予第一电压电平的相邻仓室分隔开的边界。
17、如权利要求12的方法,其特征在于第二电压电平大于第一电压电平,其中将至少一个电路从被赋予第二电压电平的仓室移动到被赋予第一电压电平的仓室的步骤包括将至少一个高转换电路从第二电压电平移动到第一电压电平的步骤,并且它如果处于非关键路径中,则只移动至少一个高转换电路。
18、如权利要求11的方法,其特征在于在被赋予第二电压电平的仓室和被赋予第一电压电平的仓室之间移动至少一个电路的步骤包括在最小化电平移位器的标准基础上选择至少一个电路的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造