[发明专利]混相器以及利用该混相器的多相发生器

权利要求书

1.一种混相器，包括：

第一和第二相位延迟单元，用于分别输入相互之间存在一定相位差的第一和第二输入电压，和分别输出其相位与第一和第二输入电压的相位相对应的第一和第二输出电压；

中间相位输出单元，具有一对用于分别输入第一和第二输入电压的第一反相器，这对第一反相器的输出端口彼此连接，并且具有一对输入第一反相器的输出电压并分别输出第三和第四输出电压的第二反相器；和

输出选择单元，含有有选择地输出第一和第三输出电压的第一多路复用器，和有选择地输出第二和第四输出电压的第二多路复用器，

其中，所述第一和第二反相器中的每一个都包括PMOS晶体管和NMOS晶体管，这些PMOS晶体管和NMOS晶体管根据输入到它们的栅极的电压的幅度，进行彼此相反的开关操作，并且，第一和第二输入电压输入到所述PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极，

从而，第三和第四输出电压具有在第一和第二输出电压的相位之间的中间相位。

2.根据权利要求1所述的混相器，其中，所述第一和第二相位延迟单元中的每一个都包括一对相互串联的第三反相器。

3.根据权利要求1所述的混相器，还包括延迟单元，用于延迟第一和第二输入电压的上升时间。

4.根据权利要求3所述的混相器，其中，所述延迟单元是尺寸比各个第一和第二反相器小的、安装在输入第一和第二输入电压的部分上的延迟反相器。

5.根据权利要求3所述的混相器，其中，所述延迟单元是安装在输入第一和第二输入电压的部分上的、第一和第二输入电压对其充电的电容器。

6.根据权利要求3所述的混相器，其中，所述延迟单元是这样一个浮置反相器：它安装在输入第一和第二输入电压的部分上，其输出端开路，并且对于第一和第二输入电压，完成哑电容器的功能。

7.根据权利要求6所述的混相器，其中，对于第一和第二输入电压的每一个，安装多个浮置反相器。

8.一种多相发生器，包括：

第一混相器，用于输入具有一定相位差的第一和第二输入电压，和输出其相位与第一和第二输入电压的相位相对应的至少两个电压和其相位与输入电压的中间相位相对应的电压；和

至少一个第二混相器，依次与第一混相器串联，并用于完成与第一混相器相同的功能。

9.根据权利要求8所述的多相发生器，其中，每个混相器都包括：

第一和第二相位延迟单元，用于分别输入第一和第二输入电压，并且分别输出其相位与第一和第二输入电压的相位相对应的第一和第二输出电压；

中间相位输出单元，具有一对用于分别输入第一和第二输入电压的第一反相器，这对第一反相器的输出端口彼此连接，并且具有一对输入第一反相器的输出电压并分别输出第三和第四输出电压的第二反相器；和

输出选择单元，含有有选择地输出第一和第三输出电压的第一多路复用器，和有选择地输出第二和第四输出电压的第二多路复用器，

其中，所述第一和第二反相器中的每一个都包括PMOS晶体管和NMOS晶体管，这些PMOS晶体管和NMOS晶体管根据输入到它们的栅极的电压的幅度，进行彼此相反的开关操作，并且，第一和第二输入电压输入到所述PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极，

从而，第三和第四输出电压具有在第一和第二输出电压的相位之间的中间相位。

10.根据权利要求9所述的多相发生器，其中，还包括延迟单元，用于延迟输入到第一混相器的第一和第二输入电压的上升时间。

11.根据权利要求10所述的多相发生器，其中，所述延迟单元是尺寸比第一混相器中的第一和第二反相器小的、安装在第一和第二输入电压与第一混相器之间的延迟反相器。

12.根据权利要求10所述的多相发生器，其中，所述延迟单元是安装在第一混相器的输入级上的、第一和第二输入电压对其充电的电容器。

13.根据权利要求10所述的多相发生器，其中，所述延迟单元是这样一个浮置反相器：它安装在第一混相器的输入级，其输出端开路，并且对于第一和第二输入电压，完成哑电容器的功能的。

14.根据权利要求13所述的多相发生器，其中，在第一混相器的每个输入级上安装多个浮置反相器。