[发明专利]半导体集成电路装置无效
| 申请号： | 01140664.X | 申请日： | 2001-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1348189A | 公开（公告）日： | 2002-05-08 |
| 发明（设计）人： | 丸山圭司;大岛成夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
1.一种半导体集成电路装置，其特征是具备：
半导体芯片；
设置于上述半导体芯片内，并与外部管脚电连接的布线；及连接上述布线，可变地调整该布线的电容的管脚电容调整电路。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征是上述管脚电容调整电路，响应位构成转换信号，可变地调整上述布线的电容。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征是
上述管脚电容调整电路包括电容和设置于上述电容与上述布线之间的传输门电路，
上述传输门电路，响应上述位构成转换信号，将上述电容连接到上述布线上。
4.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征是上述管脚电容调整电路包括电容和设置于上述电容与上述布线之间的熔丝元件。
5.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征是上述电容的电容值约等于上述外部管脚与其它外部管脚之间寄生的管脚间寄生电容的值。
6.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置，其特征是上述电容的电容值约等于上述外部管脚与其它外部管脚之间寄生的管脚间寄生电容的值。
7.根据权利要求4所述的半导体集成电路装置，其特征是上述电容的电容值约等于上述外部管脚与其它外部管脚之间寄生的管脚间寄生电容的值。
8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体集成电路装置，其特征是上述电容配置在上述半导体芯片上的配置有焊盘的焊盘区内。
9.根据权利要求1至7任一项所述的半导体集成电路装置，其特征是上述电容配置在上述半导体芯片上的配置有与焊盘连接的电路的I/O区内。
10.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置，其特征是上述管脚电容调整电路阶段地调整上述布线的电容。
11.根据权利要求9所述的半导体集成电路装置，其特征是上述管脚电容调整电路阶段地调整上述布线的电容。
12.根据权利要求1至7任一下所述的半导体集成电路装置，其特征是上述管脚电容调整电路阶段地调整上述布线的电容。
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