[发明专利]蚀刻液组合物

说明书

发明领域

本发明涉及LCD等的显示元件的透明电极膜的蚀刻液。

背景技术

作为LCD或场致发光显示元件的透明电极，有氧化铟锡、氧化铟、氧化锡、氧化亚铅等，主要使用氧化铟锡(以下称之为ITO)。作为ITO膜的蚀刻液，到目前为止曾建议使用过①氯化铁(III)水溶液、②碘酸水溶液、③磷酸水溶液、④盐酸-硝酸混合液(王水)、⑤草酸水溶液等。但是，由于上述物质存在以下问题，因此在使用上并不十分理想。

①氯化铁(III)水溶液蚀刻速度快且便宜，但侧面蚀刻量大，而且含有对半导体产生不良影响的铁的缺点。

②碘酸水溶液侧面蚀刻量少，蚀刻性良好，但容易游离出碘，因此稳定性差，而且价格高。

③磷酸水溶液不仅蚀刻用于配线的铝，而且蚀刻后有残渣存在。

④盐酸-硝酸混合液(王水)蚀刻过程剧烈，过程控制困难，而且无法运输。

⑤草酸水溶液具有稳定性好，价格便宜，而且不蚀刻铝等多个优点，但蚀刻后有残渣存在。

有关使用草酸水溶液的时候残渣存在的问题，特开平7-141932中公开了使用十二烷基苯磺酸减少残渣的技术，但该物质具有发泡性高的缺点。

另外，近年来，在玻璃基板上形成氮化硅等膜，在其上面形成ITO膜的方法也已探讨过，元件的构造也在发生变化。因此，残渣的除去性也变得不充分了。

发明内容

本发明的目的就是在于提供一种透明导电膜用蚀刻液，使用该蚀刻液解决了上述存在的问题，而且能对发泡性具有抑制作用，蚀刻后不产生残渣。

本专利的发明者们，为了实现上述目的，在不断的创新和尝试中，发现在透明导电膜用蚀刻液中含有聚磺酸化合物以及特定的表面活性剂能够实现上述目的，进而进行研究，直到本发明的完成。

本发明涉及一种蚀刻液组合物，其包含透明导电膜用蚀刻液以及从聚磺酸化合物和聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物构成的一组物质中选取的一种或两种以上的化合物。

另外，本发明所涉及的上述组合物，其特征在于，透明导电膜为氧化铟锡膜。

另外，本发明所涉及的上述组合物，其特征在于，透明导电膜用蚀刻液为草酸水溶液。

另外，本发明所涉及的上述组合物，其特征在于，从聚磺酸化合物以及聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物构成的一组物质中选取的一种或两种以上的化合物的浓度为0.0001-10质量％。

另外，本发明所涉及的上述组合物，其特征在于，聚磺酸化合物是选自于：萘磺酸甲醛缩合物及其盐、聚苯乙烯磺酸及其盐、以及木质磺酸及其盐中的一种或两种以上。

另外，本发明所涉及的上述组合物，其特征在于，还含有磺酸盐型阴离子表面活性剂。

另外，本发明所涉及的上述组合物，其特征在于，还含有水溶性低级醇。

另外，本发明所涉及的上述组合物，其特征在于，水溶性低级醇是选自于：甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇以及正丁醇中的一种或两种以上。

另外，本发明所涉及的上述组合物，其特征在于，水溶性低级醇的浓度为1-10质量％。

根据本发明，聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物对ITO膜蚀刻后的残渣有去除作用，另外，使人感到惊奇的是，聚磺酸化合物、磺酸盐型阴离子表面活性剂与聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物配合使用，去除作用可提高一个等级。另外，对于磺酸盐型阴离子表面活性剂引起的发泡，聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物、水溶性醇具有抑制发泡作用。

发明的实施方式

以下就本发明实施方式进行详细说明。

首先，本发明所使用草酸的浓度根据蚀刻满足速度充分、不析出结晶的浓度范围确定。草酸的浓度在0.1质量％以下，50℃时蚀刻速度为小于100/min，无法得到实用的蚀刻速度。草酸的浓度在10％以上，25℃以下时有结晶析出，不利于保存和运输。特别地草酸的浓度优选0.5-5质量％。

其次，作为本发明所使用的聚磺酸化合物，为萘磺酸甲醛缩合物及其盐、聚苯乙烯磺酸及其盐、木质磺酸及其盐、聚乙烯磺酸及其盐等聚合物，或1，5-萘二磺酸、1-萘酚-3，6-二磺酸之类的芳香族聚磺酸及其盐。其中，优选萘磺酸甲醛缩合物及其盐、聚苯乙烯磺酸及其盐、木质磺酸及其盐。