[发明专利]在半导体晶片中制造器件的增强淀积控制

权利要求书

1.一种用于增强淀积控制的方法，其中包括：

在半导体晶片的衬底中形成至少一个器件；和

在反应器中，以至少约10⁴Pa的压力，在该晶片上淀积氮化硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述器件是MOS形式的器件。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述器件是NMOSFET形式的器件。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述氮化硅层包括氮化硅(Si_XN_Y)。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于氮化硅层产生加强NMOSFET内部电子迁移率的力分量。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于淀积氮化硅层的操作包括：

将被选择的反应物注入化学汽相淀积(CVD)室。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于将被选择的反应物注入CVD室的操作包括：

注入氨(NH₃)；和

注入氟硅烷(SiH_xF_4-x)。

8.如权利要求3所述的方法，其特征在于NMOSFET包括带顶表面和侧表面的栅极，在淀积氮化硅层的操作期间，其中被淀积的氮化硅层被淀积在NMOSFET的栅极的顶表面和侧表面上。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于所述器件是NMOSFET形式的器件，所述NMOSFET具有带顶表面和侧表面的栅极，在淀积氮化硅层的操作期间，被淀积的氮化硅层被淀积在NMOSFET栅极的顶表面和侧表面上。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于

氮化硅层包括氮化硅(Si_XN_Y)；

其中，将被选择的反应物注入反应器的操作包括：

注入氨(NH₃)；注入硅烷(SiH₄)；以及

其中，在淀积氮化硅层的操作期间，压力范围从1×10⁴Pa至6×10⁴Pa。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于所述器件是NMOSFET形式的器件，所述NMOSFET具有带顶表面和侧表面的栅极，在淀积氮化硅层的操作期间，氮化硅层被淀积在NMOSFET的栅极的顶表面和侧表面上。

12.如权利要求7所述的方法，其特征在于

氮化硅层包括氮化硅(Si_XN_Y)；

其中，所述器件是NMOSFET形式的器件，NMOSFET具有带顶表面和侧表面的栅极，具有一表面的源区，和具有一表面的漏区；和

进一步包括：

在淀积氮化硅层的操作之前，以硅化物形成栅极的顶表面，和源区及漏区的表面。

13.如权利要求7所述的方法，其特征在于在淀积氮化硅层的操作期间，氮化硅层被淀积在NMOSFET的栅极的顶表面和侧表面上。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于

其中，器件是NMOSFET形式的器件，NMOSFET具有带顶表面和侧表面的栅极，具有一表面的源区，和具有一表面的漏区；和

进一步包括：

在淀积氮化硅层的操作之前，以硅化物形成栅极的顶表面，和源区及漏区的表面；

其中，在淀积氮化硅层的操作期间，氮化硅层被淀积在NMOSFET的栅极的顶表面和侧表面上；和

其中，在淀积氮化硅层的操作期间，压力范围从1×10⁴Pa至6×10⁴Pa。

15.如权利要求10所述的方法，其特征在于

其中，所述器件是NMOSFET形式的器件，NMOSFET具有：带顶表面和侧表面的栅极，具有一表面的源区，和具有一表面的漏区；和

进一步包括：

在淀积氮化硅层的操作之前，以硅化物形成栅极的顶表面，和源区及漏区的表面；和

其中，在淀积氮化硅层的操作期间，压力范围从1×10⁴Pa至6×10⁴Pa。