[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，具有用来构成中间存在着绝缘膜(12)在半导体衬底(11)上边形成的存储单元(MC)的多个完全耗尽型MISFET，其特征在于，各个MISFET具备：

在上述绝缘膜上边形成的半导体层(13)；

在上述半导体层上形成的源极区域(16)；

在上述半导体层上与上述源极区域分离开形成的漏极区域(17)，使上述源极区域和上述漏极区域之间的上述半导体层将成为浮置状态的沟道体；

在上述沟道体的第1面上形成的用来形成沟道的主栅极(15)；

在与上述沟道体的第1面相反一侧的第2面上形成的辅助栅极(18)，

上述MISFET在借助于来自上述主栅极的电场使上述沟道体变成为完全耗尽化的状态下，而且以借助于来自上述辅助栅极的电场可以使上述沟道体的第2面上积累多数载流子的状态为基准状态，具有在上述沟道体的第2面上已积累有多数载流子的第1数据状态，和已放出了上述沟道体的第2面的多数载流子的第2数据状态。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于：上述第1数据状态，采用使MISFET进行五极管动作在漏极结附近产生碰撞离子化的办法进行写入，

上述第2数据状态，采用在上述沟道体与漏极之间流以正向偏置电流的办法进行写入。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于：上述MISFET，以上述半导体层的表面为第1面，以与上述绝缘膜接连的背面为第2面，在表面上中间存在着栅极绝缘膜地形成有主栅极。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于：上述辅助栅极(18)是在上述半导体衬底(11)上边形成的杂质扩散层。

5.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于：上述辅助栅极，是埋入到上述半导体衬底(11)和上述绝缘膜(12)之间的掺杂层(21)。

6.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于：上述辅助栅极，是埋入到上述绝缘膜(12)内的掺杂层(21)。

7.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于：

上述主栅极，在一个方向上连续地形成，构成字线(WL)，

上述辅助栅极是埋入到上述绝缘膜(12)内的掺杂层(21)，被形成为平行于上述字线的条带状。

8.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于：上述辅助栅极，在上述绝缘膜(12)内被埋入为使得与上述半导体层(13)偏向背面的侧面相向。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于：多个MISFET被排列成矩阵，各个MISFET的漏极区域(17)被连接到位线(BL)上，主栅极(15)被连接到与位线交叉的字线(WL)上，源极区域(16)被连接到固定电位线上，构成单元阵列，

上述辅助栅极(18)，被形成为上述多个存储单元的公用电极。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其特征在于：上述辅助栅极被形成为上述单元阵列全体的公用电极。

11.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其特征在于：多个MISFET被排列成矩阵，各个MISFET的漏极区域(17)被连接到位线(BL)上，主栅极(15)被连接到与位线交叉的字线(WL)上，上述辅助栅极被连接到与位线平行的扁平线(PL)上，源极区域(16)被连接到固定电位线上，构成单元阵列。

12.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于：多个MISFET被排列成矩阵，各个MISFET的漏极区域(17)被连接到位线(BL)上，主栅极(15)被连接到与位线交叉的字线(WL)上，源极区域(16)被连接到固定电位线上，构成单元阵列，

上述辅助栅极(18)被形成为与上述位线平行且位于上述位线间的辅助栅极线(PL)。

13.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于：除去上述存储单元(MC)外，还具备与上述MISFET同样构成的拟态晶体管(90)，用该拟态晶体管进行测试，并设定提供给上述MISFET的各种电压。