[发明专利]薄膜和薄膜的制造方法以及薄膜用粘合剂有效
| 申请号： | 01144607.2 | 申请日： | 2001-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1361449A | 公开（公告）日： | 2002-07-31 |
| 发明（设计）人： | 仓田洋行;松冈英登 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 以及 粘合剂 | ||
【权利要求书】：
1.含有氟类聚合物和紫外线硬化型氟类单体的粘合剂。
2.如权利要求1所述的粘合剂，其特征在于，氟类聚合物是由下式(4)、(5)、(6)所示结构单元形成的共聚物。
[化4]
-C2F4- …(4)
[化5]
-C3H6- …(5)
[化6]
-C2H2F2- …(6)
3.如权利要求1所述的粘合剂，其特征在于，前述紫外线硬化型氟类单体是选自下式(1)、(2)和(3)的1种以上的单体，
[化1]
[化2]
[化3]
(条件是，式中R1、R4分别独立地是氢或甲基，R2、R3分别独立地是氢或羟基，Rf是含氟基团，l，m，n分别是1至8的整数)。
4.薄膜，是具备薄膜被膜和支持前述薄膜被膜的薄膜框架的薄膜，其特征在于，前述薄膜是通过使用权利要求1所述的粘合剂的粘接层粘接于前述薄膜框架上的。
5.薄膜的制造方法，是具有薄膜被膜和支持前述薄膜被膜的薄膜框架的薄膜的制造方法，其特征在于，具有使用权利要求1所述的粘合剂将前述薄膜被膜粘接于前述薄膜框架上的制造方法。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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