[发明专利]薄膜和薄膜的制造方法以及薄膜用粘合剂

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜和薄膜的制造方法以及薄膜用粘合剂，特别涉及在集成电路制造工序中的光刻工序使用的为防止在掩模或标记(以下简称为掩模等)上附着尘埃等使用的薄膜、薄膜的制造方法和薄膜用粘合剂。

背景技术

为了获得集成电路线幅的细微化，最好使用极短波长的曝光光源，在使用这样短波长的紫外线时，纤维素等以前的薄膜被膜严重劣化，得不到充分的耐久性。因此，近年来，开始使用氟类聚合物形成的薄膜被膜，由于氟类聚合物的剥离性优良，将以前的薄膜被膜粘接于薄膜框架时使用的环氧类粘合剂得不到实用的粘接力。另外，环氧类粘合剂对于短波长的紫外线不具有充分的耐光性。

为解决关于这样的氟类聚合物形成的薄膜的粘合剂的问题，有人提出用与氟类有机物形成薄膜被膜同样的氟类有机物形成的粘合剂粘接于薄膜框架形成的薄膜。(日本第67409/1994号发明专利申请公开公报)，但是，使用该现有的粘合剂，将氟类有机物溶解于溶剂的物质涂敷在框架上后，需要风干3个小时，而且，将膜和粘合剂粘接时需要加热至100℃以上。因此，存在在粘接工序中很花功夫，而且由于加热产生框架等构件发生变形的问题。

发明内容

因此，本发明的主要目的是提供对短波长的紫外线具有充分的耐光性，且粘接时不需加热，具有充分的粘接强度的粘接层的薄膜、薄膜的制造方法和薄膜用粘合剂。

按照本发明提供了薄膜，是具备薄膜被膜和支持前述薄膜被膜的薄膜框架的薄膜，其特征在于，前述薄膜被膜是通过含有氟类聚合物和紫外线硬化型氟类单体的粘接层粘接于前述薄膜框架上的。

另外，按照本发明提供了薄膜的制造方法，它是具有薄膜被膜和支持前述薄膜被膜的薄膜框架的薄膜的制造方法，其特征在于，具有使用含有氟类聚合物和紫外线硬化型氟类单体的粘合剂将前述薄膜被膜粘接于前述薄膜框架上的工序。

另外，按照本发明提供了薄膜用粘合剂，它是粘接薄膜被膜和支持前述薄膜被膜的薄膜框架的薄膜用粘合剂，其特征在于，含有氟类聚合物和紫外线硬化型氟类单体。

由于通过作为将薄膜被膜粘接于薄膜框架的粘合剂使用含有紫外线硬化型氟类单体的产品，进行紫外线照射使氟类粘合剂聚合硬化，可将薄膜粘接于薄膜框架上，因此可简化工序，粘接时不需加热，而且可有效防止对薄膜被膜的损伤。另外，粘合剂中，由于不仅含有紫外线硬化型氟类单体，而且含有氟类聚合物，因此可进一步提高粘合剂的粘接强度。作为将薄膜粘接于薄膜框架的粘接层，含有氟类聚合物和紫外线硬化型氟类单体，因此对于短波长的紫外线具有耐光性。

用上述粘合剂粘接的薄膜被膜优选是氟类聚合物形成的。将氟类聚合物形成的薄膜被膜粘接于薄膜框架时，如果使用含有氟类聚合物和紫外线硬化型单体的上述粘合剂，可提高氟类聚合物形成的薄膜被膜的粘接性。

粘合剂中含有的氟类聚合物优选是下式(4)、(5)和(6)所示的结构单元形成的共聚物。

[化22]

-C₂F₄-                                      …(4)

[化23]

-C₃H₆-                                      …(5)

[化24]

-C₂H₂F₂-                                   …(6)

粘接层中使用的氟类聚合物的优选分子量是达到极限粘度[η]＝0.20～0.80(dl/g)的分子量。另外，[η]的测定条件是溶剂为THF、温度为30℃。如极限粘度[η]过高(分子量高)，粘接膜时，粘合剂在框架上的展开变差，很难形成外观好的粘接。相反，如极限粘度[η]过低(分子量低)，硬化后的粘合剂强度降低，由于膜的张力使得粘接层变形。

更优选的该共聚物是下式(7)所示的1，1-二氟乙烯·四氟乙烯·丙烯共聚物，[η]＝0.30～0.45(dl/g)

[化25]

      -(C₂F₄)_a-(C₃H₆)_b-(C₂H₂F₂)_c-         …(7)

(条件是，a、b、c分别是正整数)。