[实用新型]高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器无效
申请号: | 01275368.8 | 申请日: | 2001-11-27 |
公开(公告)号: | CN2510997Y | 公开(公告)日: | 2002-09-11 |
发明(设计)人: | 任晓敏;黄辉;黄永清;王琦 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00;H01L27/14;G01J1/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱黎光,张占榜 |
地址: | 100876 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高速 灵敏度 谐振腔 增强 光电 探测器 | ||
1、一种高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器,包括有衬底,其特征在于:电极层呈现梳状或网孔状的微结构。
2、根据权利要求1所述的高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器,其特征在于衬底外侧设入光台面。
3、根据权利要求2所述的高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器,其特征在于衬底采用InP基、GaAs基或Si基半导体材料。
4、根据权利要求1、2或3所述的高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器,其特征在于电极层外侧设有底镜。
5、根据权利要求3所述的高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器,其特征在于底镜由蒸镀的高反射率介质膜材料的DBR构成。
6、根据权利要求1、2或3所述的高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器,其特征在于制备微结构电极时电极层表面覆盖或悬浮一掩膜层。
7、根据权利要求5所述的高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器,其特征在于掩膜层的材料为有机聚合物、半导体或金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的