[实用新型]高速、高灵敏度的谐振腔增强型光电探测器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种光波与光电子器件，特别涉及一种长波长、高速、高灵敏度谐振腔增强型(RCE)光电探测器的结构。

背景技术

随着高速、长距离光纤通信技术的飞速发展，要求相应的光接收器件具有高灵敏度、高速响应(＞40Gbit/s)的能力。对传统的pin光电探测器(其中p和n型材料作为电极层对光波无吸收效应，而i型材料作为光波吸收层)来说，其量子效率和响应速度之间存在着一种此长彼消的制约关系，二者都与吸收层厚度有关，不可兼得。谐振腔增强型(Resonant CavityEnhanced，简称RCE)光电探测器从器件结构上解决了这一问题，它的基本结构是在法布里-帕罗谐振腔(F-P腔)中插入薄的吸收层，由于光波在谐振腔中的谐振增强效应，此类器件在较薄的吸收层情况下即可以获得较高的量子效率。因而器件的响应速度不受光生载流子的耗尽区的渡越时间限制，具有高速响应的潜力。并且与波导型光电探测器的边耦合方式相比，具有光耦合效率高，耦合封装简单的优点。这些特点使得它成为未来宽带光纤通信系统的高速接收器件的首选。

RCE光电探测器由于吸收层厚度很薄，具有高速响应的潜力。但是在实际应用中，为了保证光波的耦合效率，RCE探测器的台面(即入光面)面积不能小于一定值，而器件的固有电容与台面面积大致成正比关系，因此器件固有电容的充放电时间成为了制约器件高速响应的主要因素。因而器件的响应速率与光耦合效率之间，存在着互相制约的关系。

此外，与目前光纤通信的低损耗、低色散的1.55μm波长窗口相对应，波长1.55μm的InP(磷化铟)基RCE光电探测器的制备仍存在困难。RCE结构中的谐振腔是由一对相互平行的介质膜DBR(分布布拉格反射镜)构成；要获得高的量子效率，通常要求构成谐振腔的底镜的反射率接近100％。对于1.55μm光波具有吸收效应的In_0.53Ga_0.47As(铟镓砷)材料是在InP衬底上外延生长而成的，InGaAsP/InP(铟镓砷磷/磷化铟)材料的折射率差很小；为了获得高反射率InGaAsP/InP介质膜DBR反射镜，要求组成的介质膜对数较多(大于35对)，因此器件的外延生长比较困难。目前所采用的解决方法有：将In_0.53Ga_0.47As吸收层与高反射率的Si/SiO₂(硅/二氧化硅)介质膜DBR键合(wafer-bonding)，获得了约48％的量子效率；类似的还有将In_0.53Ga_0.47As吸收层与高反射率的GaAs/AlGaAs(砷化镓/铝镓砷)介质膜DBR键合，获得约80％的量子效率。但是，键合需要经过贴紧、加压、加热以及衬底去除等工艺过程，使得器件制备成本增加。

有鉴于此，如何解除RCE光电探测器中响应速率与光耦合效率之间互相制约的矛盾，解决InP/InGaAsP介质膜DBR反射率低的问题，从而获得高速、高灵敏度的1.55μm波长的RCE光电探测器；同时具有低廉的成本，以满足光电子技术应用领域发展的要求，这是本实用新型研创动机所在。

本实用新型设计人凭借多年从事半导体研究生产加工等领域的实际经验，在反复研究论证的基础上，终得本实用新型的产生。

本实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种实现长波长、高速、高灵敏度谐振腔增强型(RCE)光电探测器的结构。

本实用新型的目的可按下述方式实现，为了获得高响应速率，利用质子注入使器件的部分电极绝缘，使得器件的电极呈现梳状分布，从而减小了器件的固有电容。同时对于InP基RCE光电探测器，衬底外侧设入光台面，采用衬底入光的方式，衬底采用InP基材、GaAs基或Si基半导体材料，电极层外侧设有底镜，底镜由蒸镀的高反射率Si/SiO₂介质膜材料DBR构成，解决了InGaAsP/InP介质膜DBR反射率低的问题。

本实用新型中器件的部分电极区经过质子注入后，其电极区呈现梳状微结构。只要选择梳状电极的宽度与间隙的比例，就可以控制电极区的面积大小(即器件固有电容的大小)。对于目前的微细加工工艺，梳状电极的宽度与间隙可以做的极小，此时梳状电极的结构不会增加光生载流子在耗尽区的渡越时间。并且质子注入后的绝缘区域经过一定温度的退火工艺，可以消除绝缘区域对光波的吸收损耗。因此在不影响光波通过的条件下，实现了高的耦合效率和响应速率。