[发明专利]光信息记录介质

权利要求书

1.一种光记录介质，该介质依照以下次序包括：主要含银的半透明层、含介电材料的第一保护层、主要由含Sb_xTe_1-x(0.7＜x≤0.9)的合金制成的相变记录层、含介电材料的第二保护层和金属反射层，其特征在于：

此处所述第一保护层包括含硫的介电材料，该介质还在所述半透明层和第一保护层之间有相互扩散保护层，并且，

对于在所述半透明层侧入射的光，该介质在所述记录层是非晶态时具有比记录层是结晶态更高的反射率。

2.根据权利要求1的光记录介质，其中所述记录层由主要含(Sb_xTe_1-x)_1-yGe_y(0.7＜x≤0.9，0＜y≤0.1)的合金制成。

3.一种光记录介质，该介质依照以下次序包括：主要含银的半透明层、含介电材料的第一保护层、相变记录层、含介电材料的第二保护层、金属反射层，其特征在于：

在所述记录层内结晶主要通过从非晶或熔化区和结晶区之间的边界的晶体生长进行，

此处所述第一保护层包括含硫的介电材料，该介质还包括在半透明层和第一保护层之间的相互扩散保护层，以及

对于在所述半透明层侧入射的光，该介质在所述记录层是非晶态时具有比记录层是结晶态更高的反射率。

4.根据权利要求1至3中的任何一项要求的光记录介质，其中所述介质的反射率Ra(％)在所述记录层是非晶态时与该介质在所述记录层是结晶态时的反射率Rc(％)满足关系：Ra-Rc≥15(％)。

5.根据权利要求1至4中的任何一项要求的光记录介质，其中所述半透明层厚度为1nm至40nm。

6.根据权利要求1至5中任何一项要求的光记录介质，其中所述第二保护层厚度为30nm至50nm，并且所述第一保护层比第二保护层薄。

7.根据权利要求1至6中任何一项要求的光记录介质，其中所述金属反射层主要包含银。

8.根据权利要求7的光记录介质，其中所述介质在所述金属反射层和第二保护层之间有相互扩散保护层，此处所述第二保护层含硫。

9.根据权利要求7或8的光记录介质，其中：

所述介质是用于利用波长为350nm和450nm的光写入和恢复。

所述第一保护层和第二保护层对所述波长基本透明，而且这二个保护层对所述波长的折射指数是2.0至2.4。

所述半透明层厚度为5nm至30nm，所述第一保护层厚度为1nm至40nm，所述记录层厚度为5nm至20nm，所述第二保护层厚度为30nm至50nm，和所述金属发射层厚度为40nm至100nm。

10.根据权利要求1至9中任何一项要求的光记录介质，其中所述半透明层银含量为90％原子或更高。

11.根据权利要求10的光记录介质，其中所述半透明层体电阻为20nΩ.m至100nΩ.m。

12.根据权利要求7至11中任何一项要求的光记录介质，其中所述金属反射层银含量为90％原子或更高。

13.根据权利要求12的光记录介质，其中所述金属反射层体电阻为20nΩ.m至100nΩ.m。

14.根据权利要求1至13中任何一项要求的光记录介质，其中所述介质还在与所述第一保护层侧相对的半透明层上有厚度为10μm至200μm的透明覆盖层，以及有与所述第二保护层侧相对的金属反射层上的衬底。